可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，新疆高壓可控硅模塊配件，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍，焊接工藝獨(dú)特，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好。可控硅模塊的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等。

  2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電上。

  3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。

  4，新疆高壓可控硅模塊配件，新疆高壓可控硅模塊配件、可控硅模塊的電易掀起折斷，接線時(shí)應(yīng)防止重力將電拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量、的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽(yù)。新疆高壓可控硅模塊配件

正高可控硅擁有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，受到了眾多客戶的喜愛(ài)和歡迎。目前，正高可控硅以其穩(wěn)定的性能等特點(diǎn)，應(yīng)用于各行業(yè)，暢銷(xiāo)省內(nèi)外地區(qū)。 

可控硅模塊的分類(lèi)   

可控硅模板從X芯片上看，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。 新疆高壓可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司以創(chuàng)百年企業(yè)、樹(shù)百年為使命，傾力為客戶創(chuàng)造更大利益！

可控硅鑒別三個(gè)的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理，用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)之間的電阻值就可以判斷出來(lái)。

  陽(yáng)與陰之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)和控制之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié)，而且方向相反，因此陽(yáng)和控制正反向都不通）。

  控制與陰之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大�？墒强刂贫�管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò)，因此，有時(shí)測(cè)得控制反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制特性不好。另外，在測(cè)量控制正反向電阻時(shí)，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制反向擊穿。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)正反向已短路，或陽(yáng)與控制短路，或控制與陰反向短路，或控制與陰斷路，說(shuō)明元件已損壞。

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來(lái)講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)電壓時(shí)，不管門(mén)級(jí)承受哪種電壓，可控硅模塊都會(huì)處于斷開(kāi)狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)電壓時(shí)，可控硅在門(mén)級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，只需要有一定的正電壓，不管門(mén)電壓怎樣，可控硅模塊都保持導(dǎo)通，如果可控硅導(dǎo)通后，門(mén)將失去其功能。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí)，主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí)，可控硅模塊關(guān)斷。 淄博正高電氣有限公司堅(jiān)持“顧客至上，合作共贏”。

過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因。

可控硅模塊對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。

過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類(lèi)型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 新疆高壓可控硅模塊配件

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