實(shí)際上，可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測(cè)量，因此不能用它作為是否超溫的判據(jù)。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結(jié)溫，而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的，由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出。借助溫控開關(guān)可以很容易地測(cè)量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置）。從溫控天關(guān)測(cè)量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路，分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷（停機(jī)），就可以有效地晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關(guān)測(cè)量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環(huán)境，菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商、空氣對(duì)流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商，因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新，改進(jìn)生產(chǎn)工藝，提高技術(shù)水平。菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商

正高可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)A、陰K、控制G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有兩個(gè)陽(yáng)：一陽(yáng)A1(T1)，二陽(yáng)A2(T2)、控制G三個(gè)引出腳。

  只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)A與陰K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)A電壓拆除或陽(yáng)A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商淄博正高電氣有限公司通過的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。

選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。

  所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。

  可控硅模塊的正向壓降、門觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路（指門的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。

上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇，希望對(duì)您有所幫助。

可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

可控硅模塊應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子弧、逆變電源等需要調(diào)節(jié)和改變電能的場(chǎng)合，如工業(yè)、通信、電力系統(tǒng)、電力系統(tǒng)等及其它各種電控、電源等，根據(jù)此也可通過模塊的控制端口與多功能控制板相連，完成電流穩(wěn)定、電壓穩(wěn)定和軟啟動(dòng)。并可結(jié)束過流、過電壓、過溫、缺乏平衡維護(hù)功能。

可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長(zhǎng)、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨(dú)立的學(xué)科。

可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來！

可控硅模塊又叫晶閘管，自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管，等等�，F(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電：層P型半導(dǎo)體引出的電叫陽(yáng)A，第三層P型半導(dǎo)體引出的電叫控制G，第四層N型半導(dǎo)體引出的電叫陰K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到，它和二管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷�，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制G，這就使它具有與二管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商

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單向可控硅模塊有陽(yáng)A、陰K、控制G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有一陽(yáng)A1(T1)，二陽(yáng)A2(T2)、控制G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽(yáng)A與陰K之間加有正向電壓，同時(shí)控制G與陰間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)A與陰K間壓降約1V。

單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽(yáng)A和陰K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)A電壓拆除或陽(yáng)A、陰K間電壓性發(fā)生改變(交流過零)時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽(yáng)A和陰K間又重新加上正向電壓，仍需在控制G和陰K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān)。 菏澤反并聯(lián)可控硅模塊供應(yīng)商

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