發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市
發(fā)布時(shí)間:2024-02-28
由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時(shí),內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時(shí)反向電流消失的快,即di/dt大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L(di/dt)值仍很大,這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短,淄博高壓晶閘管模塊組件。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時(shí)它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,淄博高壓晶閘管模塊組件,淄博高壓晶閘管模塊組件,主要考慮額定電壓和通流容量。正高電氣公司將以的產(chǎn)品,完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn)!淄博高壓晶閘管模塊組件
六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,當(dāng)通過晶閘管的電流為額定電流時(shí),其陽A與陰K之間電壓降的平均值,通常為。(七)晶閘管門觸發(fā)電壓VGT門觸發(fā)VGT,是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值正向電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電壓,一般為。(八)晶閘管門觸發(fā)電流IGT門觸發(fā)電流IGT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽與陰之間為一定值電壓的條件下,使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門直流電流。(九)晶閘管門反向電壓門反向電壓是指晶閘管門上所加的額定電壓,一般不超過10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí),導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR,是指晶閘管在斷態(tài)下的正向比較大平均漏電電流值,一般小于100μA(十二)晶閘管反向重復(fù)峰值電流IRRM反向重復(fù)峰值電流IRRM,是指晶閘管在關(guān)斷狀態(tài)下的反向比較大漏電電流值,一般小于100μA。淄博高壓晶閘管模塊組件正高電氣是多層次的模式與管理模式。
晶閘管模塊產(chǎn)品特點(diǎn):
1、芯片與基板電絕緣,電壓2500V;
2、 標(biāo)準(zhǔn)封裝;
3、壓接結(jié)構(gòu),優(yōu)良的溫度特性和動(dòng)力循環(huán)能力;
4、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC;
5、200A以下為強(qiáng)制風(fēng)冷,300A以上模塊,可以選擇風(fēng)冷或水冷。
6、安裝簡(jiǎn)單,使用維修方便,體積小,重量輕。
典型應(yīng)用:
直流電源、交流開關(guān)、焊接設(shè)備、電機(jī)控制、調(diào)光、變頻器、UPS電源、無觸點(diǎn)開關(guān)、電機(jī)軟起動(dòng)、蓄電池充放電、靜態(tài)無功功率補(bǔ)償、工業(yè)加熱控制、各種整流電源。
硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān),溫度越低耐壓越高;另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,能多次使用,當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,又重新恢復(fù)其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電,電之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),只有很小的漏電流,其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),引起了電子雪崩,粒界層迅速變成低阻抗,電流迅速增加,泄漏了能量,了過電壓,從而使晶閘管得到保護(hù)。浪涌過后,粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示。標(biāo)稱電壓:指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí),其兩端的電壓值。通流容量:是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,每隔5分鐘沖擊1次,共沖擊10次,標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示。因?yàn)檎5膲好綦娮枇=鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù),標(biāo)稱電壓值不會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,當(dāng)大到某一電流時(shí),標(biāo)稱電壓下降到0,壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,甚至炸裂;因此必須限定通流容量。正高電氣與廣大客戶攜手并進(jìn),共創(chuàng)輝煌!
1(1)晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨(dú)立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。2(2)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。3(3)晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,了觸發(fā)控制電路的可靠性。4(4)晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝,焊接層無空洞,導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。5(5)晶閘管智能模塊采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。6(6)晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電.絕緣強(qiáng)度≥2500V(RMS),人身安全。正高電氣經(jīng)營(yíng)理念:前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品、前列的服務(wù)。電磁吸盤三相交流調(diào)壓模塊
正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種,為用戶提供了更多的選擇空間。淄博高壓晶閘管模塊組件
強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z120D3H3Z120D2H3Z120A3H3P120D1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3:3-36Vdc,D2:18-30Vdc,A3:90-430Vac,D1:4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護(hù)有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4:48~480Vac,3:36-430Vac,2:24-265Vac,1:12-135Vac輸出通態(tài)壓降<2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4:≥1100Vpk,3:≥900Vpk,2:≥600Vpk,1:≥400Vpk浪涌電流(電網(wǎng)一周)800%小負(fù)載電流100mA輸出漏電流16A及以下<2mA,16A以上<12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs(普通型)、200V/μs(增強(qiáng)型)換向電壓上升率dVc/dt10V/μs(普通型)、200V/μs(增強(qiáng)型)開啟比較大響應(yīng)時(shí)間10ms關(guān)斷比較大延時(shí)10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓(輸入、輸出及外殼間)≥2000Vac絕緣電阻(輸入、輸出及外殼間)>1000MΩ。淄博高壓晶閘管模塊組件
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