引理近有朋友說關(guān)于加熱爐出現(xiàn)燒毀晶閘管的問題，事情起源為公司設(shè)計(jì)了一個(gè)加熱爐，加熱上限溫度100度，下限溫度-60度。加熱爐的加熱電阻設(shè)計(jì)連接方式為星形連接，其中一臺(tái)設(shè)備采用了三角形連接方式，結(jié)果晶閘管經(jīng)常被燒毀，問這是什么原因引起的損壞。加熱爐要解釋這個(gè)問題，需要從電阻的星接和角接以及由于電阻接法不同引起的加熱功率變化兩個(gè)方面進(jìn)行分析。本文分析采用理論與實(shí)際相結(jié)合形式，讀者根據(jù)需求選擇部分章節(jié)進(jìn)行閱讀。電加熱爐原理介紹電加熱爐溫度控制采用的是晶閘管周期性導(dǎo)通控制電阻絲功率的調(diào)功器。調(diào)功器的控制方式：晶閘管零電壓開關(guān)，在時(shí)間周期T內(nèi)，晶閘管全導(dǎo)通周波數(shù)對(duì)應(yīng)的時(shí)間Tm，晶閘管關(guān)閉時(shí)間T-Tm，采用控制方式通常為PID控制，根據(jù)當(dāng)前溫度與目標(biāo)控制溫度差值，PID調(diào)節(jié)器輸出值決定導(dǎo)通周波數(shù)時(shí)間，在晶閘管導(dǎo)通時(shí)，聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件，負(fù)載電壓等于相電壓，在晶閘管關(guān)段時(shí)，負(fù)載電壓等于零。晶閘管晶閘管電阻絲串聯(lián)星接每個(gè)控制周期T的平均電壓為：每個(gè)控制周期T的電阻加熱量為：可見電阻絲加熱熱量與電壓Tm的平方成正比。Tm越大，加熱量越大，聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件，聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件。而電爐子的傳遞函數(shù)仍然可用《自動(dòng)控制原理》一文中的公式進(jìn)行計(jì)算。以客戶至上為理念，為客戶提供咨詢服務(wù)。聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件

晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

晶閘管智能模塊普遍應(yīng)用于溫度控制、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、焊機(jī)、等離子弧焊、逆變電源等領(lǐng)域，如工業(yè)、通訊、等電氣控制、電源等。根據(jù)模塊的控制端口，可以與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能，可實(shí)現(xiàn)過熱、缺乏等保護(hù)功能。

晶閘管智能模塊的控制方式

該輸入模塊控制該接口的可調(diào)節(jié)電壓或電流信號(hào)，該模塊的輸出電壓可通過調(diào)整該信號(hào)的大小來平穩(wěn)地調(diào)節(jié)，以實(shí)現(xiàn)將該模塊的輸出電壓從0V切換到任意一個(gè)或全部的過程。

電壓或電流信號(hào)可從各種控制儀表和計(jì)算機(jī)D/A輸出中獲取，電位器可直接與直流電源分開，控制信號(hào)采用3種常用的控制形式：0-5V、0-10V、4-20mA。

聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。

晶閘管模塊常用的保護(hù)措施

① 過電流保護(hù)

過流保護(hù)一般都外接快速熔斷器的方法，可將快速熔斷器串聯(lián)于模塊的交流輸入端即可，三相模塊三只，單相模塊一只。熔斷器額定電壓要大于電路工作電壓，額定電流一般取負(fù)載電流的百分之七十到八十。但快速熔斷器對(duì)于短路引起的過流保護(hù)效果很好，對(duì)于一般性的過流并不能起到很好的保護(hù)效果，因?yàn)閮杀队诳焖偃蹟嗥黝~定值的電流在幾秒內(nèi)才能熔斷。如果要取得較好的保護(hù)效果，除采用快速熔斷器外可采用帶過流保護(hù)功能的模塊或具有過流保護(hù)功能的控制板。

②過電壓保護(hù)

模塊的過壓保護(hù)，使用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式。

阻容吸收回路能有效晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收并聯(lián)在模塊每一只晶閘管芯片上即可，反并聯(lián)芯片可共用一組。

晶閘管智能模塊工作原理

晶閘管智能模塊用于電加熱控制柜內(nèi)，通過溫控儀表的溫度傳感器來采集爐內(nèi)溫度，然后由恒溫儀表來控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓，形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng)，來保持爐內(nèi)溫度恒定。

晶閘管智能模塊過壓保護(hù)：

晶閘管智能模塊工作時(shí)由導(dǎo)通到截止時(shí)或因雷擊及其他原因都會(huì)產(chǎn)生能量較大，持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過電壓，此電壓直接作用與晶閘管上會(huì)使晶閘管超過額定電壓而擊穿，為了保護(hù)晶閘管，常采用壓敏電阻吸收與阻容吸收的方法來吸收過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。 正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

    使C5上的電壓達(dá)到雙向觸發(fā)二管的轉(zhuǎn)折電壓，以在低輸出電壓下雙向晶閘管仍能導(dǎo)通。適當(dāng)調(diào)節(jié)R4，就可以得到較低的起調(diào)電壓。另一個(gè)缺點(diǎn)是雙向晶閘管導(dǎo)通瞬間的突變電流形成的脈沖干擾，會(huì)影響調(diào)幅收音機(jī)和一些通信設(shè)備的正常工作，簡(jiǎn)易型調(diào)壓器不能這種脈沖干擾。怎么晶閘管導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的電磁干擾呢？可以利用濾波電路。電感L串聯(lián)在主電路上，對(duì)突變電流呈現(xiàn)很大的阻抗，起到了平滑濾波作用；R1、C1支路并聯(lián)在電源線上，將高頻干擾電流旁路。此外，與負(fù)載RL并聯(lián)的R2、C3支路進(jìn)一步濾除了負(fù)載電流突變產(chǎn)生的脈沖干擾。這樣，由于采用了雙重濾波電路，起到了較強(qiáng)的干擾的作用。調(diào)壓器的氖管閃光電路的原理我還不太明白。由二管VD、氖管ND、電容器C2和電阻R3組成了氖管閃光指示電路，它并聯(lián)在負(fù)載兩端，負(fù)載RL兩端的交流電壓，經(jīng)二管VD半波整流后得到的半波脈動(dòng)直流電壓給C2充電，當(dāng)C2上的電壓達(dá)到氖管的導(dǎo)通電壓時(shí)，C2通過氖管迅速放電，使氖管閃亮一下。C2放電后又繼續(xù)被充電，氖管就會(huì)不停地閃亮。我提個(gè)問題。如果手頭上沒有雙向觸發(fā)二管�？梢杂媚男┰�器件代換呢？雙向晶閘管觸發(fā)電路的形式是多種多樣的一種是用試電筆里的氖管替換雙向觸發(fā)二管。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié)，產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件

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    直流電壓波形應(yīng)該幾乎全放開（A≈0°），6個(gè)波頭都全在，若中頻電源為380V輸入，此時(shí)的直流電壓表應(yīng)為指示在520V左右。再把面板上的“給定”電位器逆時(shí)針旋至小，直流電壓波形幾乎全關(guān)閉，此時(shí)的α角約為120度。輸出直流波形在整個(gè)移相范圍內(nèi)應(yīng)該是連續(xù)平滑的。若在調(diào)試中，發(fā)現(xiàn)不出來6個(gè)整流波頭，則應(yīng)檢查6只整流晶閘管的序號(hào)是否接對(duì)，晶閘管的門級(jí)線是否接反或短路。在此過程調(diào)試中也檢查了面板上的“給定”電位器是否接反，接反了則會(huì)出現(xiàn)直流電壓幾乎為比較大，只有把“給定”電位器順時(shí)針旋到頭時(shí)，直流電壓才會(huì)減小的現(xiàn)象。在停電狀態(tài)下，把逆變橋接入，使逆變觸發(fā)脈沖投入，去掉整流橋口的電阻性負(fù)載。把電路板上的VF微調(diào)電位器W2順時(shí)針旋至比較高端，（調(diào)試過程發(fā)生逆變過壓時(shí)，可以提供過壓保護(hù)）。主控板上的DIP-1開關(guān)撥在ON位置，面板上的“給定”電位器逆時(shí)旋至小。上電數(shù)秒鐘后，把面板上的“給定”電位器順時(shí)針慢慢地旋大，這時(shí)逆變橋會(huì)出現(xiàn)兩種工作狀態(tài)，一種是逆變橋起振，另一種是逆變橋直通。此時(shí)需要的是逆變橋直通，若逆變橋?yàn)槠鹫駹顟B(tài)，可在停電的狀態(tài)下，調(diào)節(jié)中頻電壓互感器的相位，即把中頻電壓互感器20V繞組的輸出線對(duì)調(diào)一下，就不會(huì)起振了。聊城MTAC75晶閘管智能模塊組件

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