萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家 淄博正高電氣供應(yīng)

發(fā)貨地點(diǎn):山東省淄博市

發(fā)布時(shí)間:2024-03-08

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詳細(xì)信息

可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家,萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ),萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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斷一個(gè)可控硅元件是否完好,工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查,先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰與陽(yáng)間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制開路時(shí),陽(yáng)與陰間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,第四是給控制加上正向電流,給陰與陽(yáng)加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡(jiǎn)單,只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的間電阻,就可對(duì)前三個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰與陽(yáng)之間的正反向電阻(控制不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。 萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣有限公司敢于承擔(dān)、克難攻堅(jiān)。

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可控硅模塊特點(diǎn):

1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。

2 對(duì)電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí),可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

4 對(duì)維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。

5 對(duì)電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。

可控硅元件在電氣設(shè)備中發(fā)揮重大作用,但可控硅使用中必須要注意運(yùn)行環(huán)境和相關(guān)指標(biāo),防止可控硅損壞而影響到設(shè)備的正常使用。對(duì)此,在選用可控硅的額定電壓時(shí),應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓的大小,并留出一定的余量。

1、選用可控硅的額定電流時(shí),除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。

2、使用可控硅之前,應(yīng)該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。

3、嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器,并且所規(guī)定的冷卻條件。為散熱器與可控硅管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

5、按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅采用過壓及過流保護(hù)裝置。

6、要防止可控硅控制的正向過載和反向擊穿。

淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品暢銷國(guó)內(nèi)。

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可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域

該智能模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、等各類電氣操控、電源等,依據(jù)還可經(jīng)過模塊的操控端口與多功用操控板聯(lián)接,結(jié)束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功用,并可結(jié)束過流、過壓、過溫、缺持平維護(hù)功用。

可控硅模塊的操控辦法

經(jīng)過輸入模塊操控接口一個(gè)可調(diào)的電壓或許電流信號(hào),經(jīng)過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行滑潤(rùn)調(diào)度,結(jié)束模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或悉數(shù)導(dǎo)通的進(jìn)程。

電壓或電流信號(hào)可取自各種操控外表、核算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種辦法;操控信號(hào)選用0~5V,0~10V,4~20mA三種對(duì)比常用的操控辦法。

淄博正高電氣有限公司推行現(xiàn)代化管理制度。萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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可控硅模塊選購(gòu)注意事項(xiàng):

(1)注明您需要的產(chǎn)品的型號(hào)、結(jié)構(gòu)(螺栓、凹臺(tái)、凸臺(tái))、配置散熱器型號(hào)。

(2)注明您關(guān)注的參數(shù)要求。

(3)選擇電流電壓時(shí)要留有適當(dāng)?shù)挠嗔浚?


可控硅模塊使用注意事項(xiàng):

(1)線路中須有過壓過流保護(hù)措施,串并聯(lián)使用時(shí)必須有均流措施。

(2)用萬用表簡(jiǎn)單判斷器件是否損壞: 門陰間電阻,應(yīng)有十幾或幾十Ω,否則門已短路或開路。陰陽(yáng)間電阻,應(yīng)大于1MΩ,(整流管正向除外),電阻小于1MΩ表明器件間絕緣性能不良,電阻近零時(shí)表明器件已擊穿。發(fā)現(xiàn)有短路或斷路現(xiàn)象時(shí),應(yīng)立即更換。

(3)嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器,并且所規(guī)定的冷卻條件。為散熱器與可控硅模塊管心接觸良好,它們之間應(yīng)涂上一薄層有機(jī)硅油或硅脂,以幫于良好的散熱。

(5)按規(guī)定對(duì)主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護(hù)裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制的正向過載和反向擊穿。

萊蕪小功率可控硅模塊生產(chǎn)廠家

淄博正高電氣有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo),有組織有體系的公司,堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,攜手共畫藍(lán)圖,在山東省淄博市等地區(qū)的電子元器件行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶口碑,為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),也希望未來公司能成為行業(yè)的翹楚,努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將正高電氣供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,共創(chuàng)佳績(jī),一直以來,公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針,員工精誠(chéng)努力,協(xié)同奮取,以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場(chǎng),我們一直在路上!

 

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