可控硅元件在電氣設備中發(fā)揮重大作用，但可控硅使用中必須要注意運行環(huán)境和相關指標，防止可控硅損壞而影響到設備的正常使用。對此，在選用可控硅的額定電壓時，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量。
1、選用可控硅的額定電流時，除了考慮通過元件的平均電流外，還應注意正常工作時導通角的大小、散熱通風條件等因素。在工作中還應注意管殼溫度不超過相應電流下的允許值。
2、使用可控硅之前，應該用萬用表檢查可控硅是否良好。發(fā)現有短路或斷路現象時，應立即更換。
3、嚴禁用兆歐表(即搖表)檢查元件的絕緣情況。
4、電流為5A以上的可控硅要裝散熱器，并且保證所規(guī)定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱，湖南雙向可控硅模塊廠家。
5，湖南雙向可控硅模塊廠家、按規(guī)定對主電路中的可控硅采用過壓及過流保護裝置，湖南雙向可控硅模塊廠家。
6、要防止可控硅控制極的正向過載和反向擊穿。
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選擇可控硅模塊的主要參數可控硅模塊的主要參數應根據應用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數應符合應用電路（指門極的控制電路）的各頂要求，不能偏高或偏低，否則會影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設備中的種類選擇，希望對您有所幫助。 湖南雙向可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司一切從實際出發(fā)、注重實質內容。
單向可控硅模塊有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有一陽極A1(T1)，二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時，方可被觸發(fā)導通。此時A、K間呈低阻導通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。
單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續(xù)處于低阻導通狀態(tài)。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時，單向可控硅才由低阻導通狀態(tài)轉換為高阻截止狀態(tài)。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態(tài)相當于開關的閉合與斷開狀態(tài)，用它可制成無觸點開關。
可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨特的特性：當陽極連接到反向電壓時，或陽極連接到正向電壓時，但控制極不增加電壓，則不會導通，當陽極和控制極同時連接到正向電壓時，將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通，控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓，無論控制電壓的極性如何，都將始終處于接通狀態(tài)。若要關閉，只能將陽極電壓降到某個臨界值或反向。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列（當電極管腳朝著帶有字符的一側向下時）。當改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時間時，其接通電流的大小可以改變。 淄博正高電氣有限公司始終以適應和促進發(fā)展為宗旨。
可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝，電流承載能力大，熱循環(huán)負載次數是國標的進10倍，焊接工藝獨特，絕緣強度高，導熱性能好�？煽毓枘K的工作場所應干燥、無腐蝕性氣體、通風、無塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟： 1、散熱器和風機按通風要求裝配于機箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導熱硅脂，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個螺釘用力要均等。
2、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫，套上絕緣熱縮管，用熱風或熱水加熱收縮，導線截面積按電流密度<4A/mm2選取，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固，保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷，接線時應防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司愿與各界朋友攜手共進，共創(chuàng)未來！河南可控硅模塊配件
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雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項：
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負向觸發(fā)脈沖均可使控制極導通，但是觸發(fā)靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護
可控硅元件優(yōu)點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：
（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；
（2）可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來�。�
（3）為保證控制極可靠觸發(fā)，加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發(fā)生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態(tài)過程產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。
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