廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家 上海來明電子供應(yīng)

在JS-001-2012及MIL-STD-883H中，帶電的人體都用100皮法（pF）電容器及1500歐姆的放電電阻來模擬。在測(cè)試過程中，電容會(huì)充電到數(shù)千伏（常見的是2kV、4kV、6kV及8kV），再借由電阻串聯(lián)到被測(cè)器件進(jìn)行放電。典型的HBM波形有2至10納秒的上升時(shí)間、每千伏特0.67安培的電流，及200納秒脈沖寬度的雙重指數(shù)信號(hào)衰減波形。如果帶電人體通過其手持的小金屬物件，如鑰匙、螺絲刀等對(duì)其他物體產(chǎn)生的放電稱為人體-金屬ESD模型，廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家，與典型的人體放電模型有明顯的差別。人體-金屬ESD產(chǎn)生的放電電流的峰值一般要比人體ESD大5～7倍，廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家，廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家。原因是金屬物件的電極效應(yīng)使得人體放電的等效電阻***變小。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容，這一點(diǎn)對(duì)于RF芯片的ESD設(shè)計(jì)非常有利。廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家

防靜電的四項(xiàng)基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)�全帶靜電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護(hù)措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護(hù)技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家目前ESD靜電保護(hù)元件結(jié)電容可做到0.1pF以內(nèi)。

靜電是物體表面過�；虿蛔愕撵o止電荷，是通過電子或離子的轉(zhuǎn)移而形成的。一般固體靜電電壓可以達(dá)到20萬伏以上，液體靜電電壓可以達(dá)到數(shù)萬伏以上，人體靜電電壓可以達(dá)到1萬伏以上。一般工業(yè)生產(chǎn)中，靜電具有高電位、低電量、小電流和作用時(shí)間短的特點(diǎn)，設(shè)備或人體上的靜電位比較高可達(dá)數(shù)萬伏以至數(shù)千萬伏。靜電較之流電受環(huán)境條件，特別是濕度的影響比較大;靜電測(cè)量時(shí)復(fù)現(xiàn)性差、瞬態(tài)現(xiàn)象多。測(cè)量靜電是為靜電防護(hù)工程設(shè)計(jì)和改善產(chǎn)品自身抗靜電性能設(shè)計(jì)，提供數(shù)據(jù)和依據(jù)。

防護(hù)管一般和被保護(hù)電路并聯(lián)。防護(hù)管的串聯(lián)寄生電感會(huì)阻止ESD脈沖瀉放到地，降低ESD防護(hù)能力。防護(hù)管的結(jié)電容產(chǎn)生的容抗和被保護(hù)電路I/0端口的特征阻抗并聯(lián)，當(dāng)防護(hù)管的結(jié)電容較大時(shí)，在高頻下的容抗較小，會(huì)嚴(yán)重改變接口的的阻抗特性和頻譜特性。防護(hù)器件的結(jié)電容是影響信號(hào)質(zhì)量的主要因素，在高頻接口要求防護(hù)器件的結(jié)電容要盡量小�，F(xiàn)在各種電浪涌防護(hù)管的結(jié)電容要做到很小(小于2pF)還有較大難度，因此現(xiàn)有的防護(hù)器件直接用于GHz和Gbps以上的高頻接口的ESD防護(hù)將對(duì)信號(hào)質(zhì)量產(chǎn)生不可容忍的影響。防護(hù)器件要具有雙極性(雙向)防護(hù)功能，其響應(yīng)時(shí)間小于ns級(jí)時(shí)，對(duì)ESD脈沖才具有較好的防護(hù)效果，響應(yīng)速度越快其防護(hù)效果越好。防護(hù)管的箱位電壓(或?qū)�通電�?低于高頻信號(hào)峰值電平時(shí)也會(huì)對(duì)高頻信號(hào)產(chǎn)生限幅效應(yīng)，箝位電壓過高則ESD防護(hù)效果差，這增加了較高峰值能量的高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì)的難度。多層壓敏電阻作為ESD靜電保護(hù)元件，具有較高的成本優(yōu)勢(shì)。

ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。硅基ESD靜電保護(hù)元件具有較低的鉗位電壓。廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家

靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對(duì)敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制。廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家

近年來中國(guó)電子工業(yè)持續(xù)高速增長(zhǎng)，帶動(dòng)電子元器件產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁發(fā)展。中國(guó)許多門類的電子元器件產(chǎn)量已穩(wěn)居全球前列，電子元器件行業(yè)在國(guó)際市場(chǎng)上占據(jù)很重要的地位。中國(guó)已經(jīng)成為揚(yáng)聲器、鋁電解電容器、顯像管、印制電路板、半導(dǎo)體分立器件等電子元器件的世界生產(chǎn)基地。同時(shí)，國(guó)內(nèi)外電子信息產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展給上游電子元器件產(chǎn)業(yè)帶來了廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。在采購(gòu)TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容時(shí)，不但需要靈活的業(yè)務(wù)能力，也需要掌握電子元器件的分類、型號(hào)識(shí)別、用途等專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí)，才能為企業(yè)提供更專業(yè)的采購(gòu)建議。近年來，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)不斷發(fā)展、消費(fèi)電子產(chǎn)品制造水平提高和居民收入水平增加等因素的驅(qū)動(dòng)下，電子元器件行業(yè)呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)。未來隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、新型顯示等新興技術(shù)與消費(fèi)電子產(chǎn)品的融合，這會(huì)使得電子元器件行業(yè)需求量持續(xù)增加，同樣帶動(dòng)市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。近期來，電子元器件行業(yè)頗受大家關(guān)注。正由于多方面對(duì)其極大的需求度，便很大程度上帶動(dòng)了TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的熱度，從而導(dǎo)致TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容的批發(fā)價(jià)格，TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容采購(gòu)報(bào)價(jià)提升，TVS、ESD、MOV，放電管、保險(xiǎn)絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容廠家供應(yīng)信息也相應(yīng)更新頻繁。廣東SD卡ESD保護(hù)元件廠家

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