普通的二極管由PN結(jié)組成。在P和N半導(dǎo)體材料之間加入一薄層低摻雜的本征(Intrinsic)半導(dǎo)體層，組成的這種P-I-N結(jié)構(gòu)的二極管就是PIN二極管。正因為有本征(Intrinsic)層的存在，PIN二極管應(yīng)用很***，從低頻到高頻的應(yīng)用都有，主要用在RF領(lǐng)域，用作RF開關(guān)和RF保護(hù)電路，也有用作光電二極管(PhotoDiode)。PIN二極管包括PIN光電二極管和PIN開關(guān)二極管。微波開關(guān)利用PIN管在直流正-反偏壓下呈現(xiàn)近似導(dǎo)通或斷開的阻抗特性,實現(xiàn)了控制微波信號通道轉(zhuǎn)換作用.PIN二極管的直流伏安特性和PN結(jié)二極管是一樣的，但是在微波頻段卻有根本的差別。由于PIN二極I層的總電荷主要由偏置電流產(chǎn)生。而不是由微波電流瞬時值產(chǎn)生，吉林低正向肖特基二極管功率，所以其對微波信號只呈現(xiàn)一個線性電阻。此阻值由直流偏置決定，正偏時阻值小，接近于短路，吉林低正向肖特基二極管功率，反偏時阻值大，接近于開路。因此PIN二極對微波信號不產(chǎn)生非線性整流作用，這是和一般二極管的根本區(qū)別，吉林低正向肖特基二極管功率，所以它很適合于做微波控制器件。 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的。吉林低正向肖特基二極管功率
整流作用高壓二極管擊穿，會燒斷高壓保險絲。高壓二極管內(nèi)部燒斷，會只有交流高壓，沒有直流高壓。在陽極與陰極之間加上一定的直流電壓，陰極發(fā)射的電子受陽極正電位影響而飛向陽極，另外再有磁鐵的作用,在空間上存在方向與電場垂直的磁場，因而電子在磁場力和電場力作用下作輪擺運動。因陽極諧振腔內(nèi)存在高頻電場，因而就會形成繞陽極旋轉(zhuǎn)的“電子云”；當(dāng)旋轉(zhuǎn)速度與高頻磁場同步時，電子將所有的能量交給高頻磁場，從而維持高頻振蕩。這種高頻能量經(jīng)微波能量輸出器輸出，由波導(dǎo)管傳輸?shù)轿⒉t腔里加熱食物。 山西高壓二極管功率不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。
由于多種原因，當(dāng)前***使用的是可視激光二極管(英文簡稱"VLD""Visible Laser Diode")。激光二極管的可靠性非常好，壽命要比氦氖激光長幾倍，而且工作電壓很低（通常只有2伏），沒有特殊供電要求。它們的封裝非常小而輕，并且密封堅固。由于耗能非常小，它們可用在直接從計算機(jī)甚至電池取電的條形碼讀碼器中。之所以選用可視激光而不是紅外激光，是因為IR類型的掃描儀不能識讀打印在某些特殊材質(zhì)上的條形碼。盡管條碼本身在人眼看來是暗條打印在淺色背景上，紅外激光與可見光的被吸收程度是不同的。
TVS瞬態(tài)抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負(fù)12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預(yù)定值，有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)速度快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點，已廣泛應(yīng)用于計算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保護(hù)、共模/差模保護(hù)、RF耦合/IC驅(qū)動接收保護(hù)、電機(jī)電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領(lǐng)域。 不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因為N型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中*有極少量的自由電子，所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運動。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴(kuò)散運動而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運動達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。 硅電壓開關(guān)二極管主要應(yīng)用于觸發(fā)器、過壓保護(hù)電路、脈沖發(fā)生器及高壓輸出、延時、電子開關(guān)等電路。浙江貼片二極管
二極管可作開關(guān)用，常用型號為1N4148。吉林低正向肖特基二極管功率
變?nèi)荻䴓O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用PN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻䴓O管的電容量一般較小，其比較大值為幾十pF到幾百pF，比較大電容與**小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。變?nèi)荻䴓O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導(dǎo)體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。圖2變?nèi)荻䴓O管與反向偏壓變?nèi)荻䴓O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的，如圖2所示。2、變?nèi)荻䴓O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解：(a)反向偏壓增加，造成電容減少；(b)反向偏壓減少，造成電容增加。電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻䴓O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示**小值、標(biāo)稱值及比較大值，這些經(jīng)常繪在圖上。 吉林低正向肖特基二極管功率
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