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發(fā)布時間：2023-04-11
MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。MOS與BJT用于ESD放電保護(hù)原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。因CMOS使用**為***的工藝之一，所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護(hù)器件。采用MOS器件作為芯片的ESD防護(hù)架構(gòu)示例如圖3所示。為防止ESD器件在芯片正常工作時導(dǎo)通，浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型，MOS的柵極總是采用關(guān)斷的連接方式，即柵接地的NMOS（Gate-Grounded NMOS，浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型，浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型，GG-NMOS）和柵接電源的PMOS（Gate-VDD PMOS，GD-PMOS）。在GHz以下的電路中選用低容值TVS和低容值快速開關(guān)二極管是比較廉價的方案。浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型
高頻接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計方法，接口的ESDS要求和ESSD選擇，通信產(chǎn)品內(nèi)部接口的靜電放電風(fēng)險主要是在產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，當(dāng)制造環(huán)境和測試策略進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆漓o電控制后，ESD風(fēng)險能夠得到一定程度的降低，但是實(shí)際經(jīng)驗表明，這些內(nèi)部接口的靜電放電敏感度(ESDS)仍然需要達(dá)到+2000V以上才是比較安全的。通信產(chǎn)品外部接口的ESD風(fēng)險不僅存在于產(chǎn)品及其部件的組裝和測試過程，更主要的是用戶的使用過程，實(shí)際經(jīng)驗表明，這些外部接口的ESDS需要達(dá)到+4000V以上時才能有效防止接口器件被ESD損壞。為了提高接口的抗靜電能力，用于高頻接口的靜電敏感器件(ESSD)應(yīng)選用防靜電能力強(qiáng)的器件，并需要同時考慮接口器件靜電敏感度的人體模式(HBM)、機(jī)器模式(MM)和器件充電模式(CDM)參數(shù)。一般HBM參數(shù)應(yīng)不低于500V，CDM和MM參數(shù)應(yīng)不低工200V。浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型ESD放電具有高頻、快速放電特性，對防護(hù)器件的響應(yīng)速度要求較高。
ESD防護(hù)電路對高頻信號質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會影響電路的信號傳輸質(zhì)量，使信號的時延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號質(zhì)量的要求，此時需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。
根據(jù)高頻電路信號特性和ESD防護(hù)能力的要求來選用不同的防護(hù)器件和不同的防護(hù)中路結(jié)構(gòu)，防護(hù)器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護(hù)電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于被保護(hù)器件的ESD或值電樂，ESD防護(hù)電路的響應(yīng)時間要小于被保護(hù)器件的響應(yīng)時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進(jìn)行ESD防護(hù)，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷�，也可以直接選用低容值的快速開關(guān)二極管兩個反向并聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)，如果信號峰值電平高于二極管的正向?qū)妷�，�?yīng)采用兩個快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進(jìn)行雙向ESD防護(hù)。ESD靜電保護(hù)元件一般并聯(lián)在電流中使用。
靜電*電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內(nèi)部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應(yīng)及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認(rèn)良好,如果搭接不好,也將引起額外的*,如案例“靜電放電十?dāng)_是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電*電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電*電流已經(jīng)通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現(xiàn)ADC的異常工作呢?ADC電路的設(shè)計肯定存在較薄弱的環(huán)節(jié)。檢查電路發(fā)現(xiàn),ADC存在模擬地和數(shù)字地,電路設(shè)計時為了使數(shù)字電路部分的*不影響模擬電路部分,在數(shù)字地和模擬地之問跨接了磁珠進(jìn)行隔離。ESD靜電保護(hù)元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型
高頻信號接口的ESD防護(hù)電路設(shè)計主要是致力于降低防護(hù)電路的并聯(lián)結(jié)電容和串聯(lián)電感。浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型
ESD策略，ESD防護(hù)電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護(hù)器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護(hù)電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設(shè)計ESD防護(hù)電路的基本指導(dǎo)思想是:對ESD信號來說，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點(diǎn)和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點(diǎn)和被保護(hù)器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護(hù)器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。浙江低壓電源線ESD保護(hù)元件選型
上海來明電子有限公司是一家集生產(chǎn)科研、加工、銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè)，公司成立于2010-08-11，位于靈山路1000弄2號808。公司誠實(shí)守信，真誠為客戶提供服務(wù)。公司主要經(jīng)營TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容，公司與TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業(yè)內(nèi)多家研究中心、機(jī)構(gòu)保持合作關(guān)系，共同交流、探討技術(shù)更新。通過科學(xué)管理、產(chǎn)品研發(fā)來提高公司競爭力。公司秉承以人為本，科技創(chuàng)新，市場先導(dǎo)，和諧共贏的理念，建立一支由TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容專家組成的顧問團(tuán)隊，由經(jīng)驗豐富的技術(shù)人員組成的研發(fā)和應(yīng)用團(tuán)隊。上海來明電子有限公司依托多年來完善的服務(wù)經(jīng)驗、良好的服務(wù)隊伍、完善的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的合作伙伴，目前已經(jīng)得到電子元器件行業(yè)內(nèi)客戶認(rèn)可和支持，并贏得長期合作伙伴的信賴。
