靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽能電池市場的主導地位。而晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽能薄膜電池的背電級主要有三個用途：一，它是各單體電池的負極；二，它是各自電池串聯(lián)的導電通道；三，它可以增加太陽能電池對光的反射。太陽能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀，對純度要求沒有半導體芯片用靶材要求高，一般在99.99%以上。目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導電層薄膜，鉬靶，北京智能玻璃陶瓷靶材價錢、鉻靶用于阻擋層薄膜，ITO靶、AZO靶用于透明導電層薄膜，北京智能玻璃陶瓷靶材價錢。陶瓷靶材按化學組成,分為氧化物陶瓷靶材，北京智能玻璃陶瓷靶材價錢、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。北京智能玻璃陶瓷靶材價錢
超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。寧夏陶瓷靶材售價ITO靶材是當前太陽能電池主要的濺射靶材。
氧化鈮由于其獨特的物理和化學性質(zhì)而被廣地應用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。例如，利用其較強的紫外線吸收能力，可將其用作紫外敏感材料的保護膜；利用其薄膜折射率較高的特性，可與SiO2等配合可制備具有不同折射率的薄膜。由于這些明顯的優(yōu)點，氧化鈮靶材被廣地應用于太陽能電池、液晶顯示器、離子顯示器、收集觸屏、光學玻璃、氣體傳感器等眾多領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展以及應用領(lǐng)域的不斷延伸，氧化鈮靶材的需求量也不斷增大。目前，市場上使用的多的是氧化鈮平面靶材，大都采用真空熱壓法來制備。但是采用該方法，氧化鈮靶坯厚度較大，加工過程中需要通過機加工剖片工藝加工達到所需的厚度要求。
靶材開裂影響因素裂紋形成通常發(fā)生在陶瓷濺射靶材（如氧化物、碳化物、氮化物等）和脆性材料濺射靶材（如鉻、銻、鉍等）中。陶瓷或脆性材料目標始終包含固有應力。這些內(nèi)應力是在靶材制造過程中產(chǎn)生的。此外，這些應力不能通過退火過程完全消除，因為它是這些材料的固有特性。在濺射過程中，轟擊的氣體離子將其動量傳遞給目標原子，為它們提供足夠的能量來脫離晶格。這種放熱動量傳遞增加了目標的溫度，在原子水平上可能達到1，000，000攝氏度。這些熱沖擊將目標中已經(jīng)存在的內(nèi)部應力增加到許多倍。在這種情況下，如果不注意適當?shù)纳�，靶材可能會開裂。靶材開裂預防措施為了防止靶材開裂，重要的考慮因素是散熱。一方面運用水冷機制來去除靶材中不需要的熱能，另一方面考慮提高功率，在很短的時間內(nèi)提升功率也會給目標帶來熱沖擊。此外，建議將這些靶材綁定到背板上，這不僅為靶材提供支撐，而且還促進靶材與水之間更好的熱交換。如果靶材破裂有背板加持的情況下，它仍然可以毫無問題地使用。靶材是制備薄膜的主要材料之一。
研究直流磁控反應濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.
ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。 IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。重慶智能玻璃陶瓷靶材一般多少錢
靶材是半導體、顯示面板、異質(zhì)結(jié)光伏領(lǐng)域等的關(guān)鍵材料，存在工藝不可替代性。北京智能玻璃陶瓷靶材價錢
主要PVD方法的特點：（3）濺射鍍膜：在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機臺中完成濺射反應，濺射機臺專業(yè)性強、精密度高，市場長期被美國、日本跨國集團壟斷。（4）終端應用：1）半導體芯片：單元器件中的介質(zhì)層、導體層與保護層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等金屬。2）平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO等材料；3）薄膜太陽能電池一一第三代，濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法，靶材是不可或缺的原材料；4）計算機儲存器：磁信息存儲、磁光信息存儲和全光信息存儲等。在光盤、機械硬盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。北京智能玻璃陶瓷靶材價錢
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