研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機理進行分析,并對若干誘導因素進行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導毒化發(fā)生.
ITO薄膜作為一種重要的透明導電氧化物半導體材料，因具有良好的導電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點成為目前的主流?但是，湖北陶瓷靶材推薦廠家，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，湖北陶瓷靶材推薦廠家，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，湖北陶瓷靶材推薦廠家，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴重影響了鍍膜效率。 陶瓷靶材按化學組成,分為氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物靶材和硫化物靶材等。湖北陶瓷靶材推薦廠家
超大規(guī)模集成電路制造過程中要反復用到的濺射（Sputtering）工藝屬于PVD技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在高真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。一般來說，濺射靶材主要由靶坯、背板等部分構(gòu)成，其中，靶坯是高速離子束流轟擊的目標材料，屬于濺射靶材的主要部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜；由于高純度金屬強度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機臺內(nèi)完成濺射過程，機臺內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境，因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。福建ITO陶瓷靶材售價濺射靶材綁定背板流程；
濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。陶瓷或脆性材料靶材始終含有固有應(yīng)力。這些內(nèi)應(yīng)力是在靶材制造發(fā)展過程中可以產(chǎn)生的。此外，這些應(yīng)力不會被退火過程完全消除，因為這是這些材料的固有特性。在濺射過程中，氣體離子被轟擊以將它們的動量傳遞給目標原子，提供足夠的能量使其從晶格中逃逸。這種放熱動量轉(zhuǎn)移使靶材溫度升高，在原子水平上可能達到極高的溫度。這些熱沖擊將靶材中已經(jīng)發(fā)展存在的內(nèi)應(yīng)力將會增加到許多倍。在這種情況下，如果不適當散熱，靶材就可能會斷裂。二、濺射靶材開裂應(yīng)對事項為了防止靶材開裂，需要著重考慮的是散熱。需要水冷卻機構(gòu)以從靶去除不需要的熱能。另一個需要考慮的問題是功率的增加。短時間內(nèi)施加過大的功率也會對目標造成熱沖擊。此外，我們建議將靶材粘合到背板上，這不僅為靶材提供了支撐，而且促進了靶材與水之間更好的熱交換。如果目標有一個裂紋，但它是粘接到背板上，仍可以正常使用。
薄膜晶體管液晶顯示面板（TFT-LCD）是當前的主流平面顯示技術(shù)。薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊固體，使固體表面的原子電離后沉積在玻璃基板上，經(jīng)過反復多次的“沉積+刻蝕”，一層層（一般為7－12層）地堆積制作出薄膜晶體管陣列。這種被轟擊的固體，即用濺射法沉積薄膜的原材料，就被稱作濺射靶材。除LCD外，近年來快速發(fā)展的OLED面板產(chǎn)業(yè)靶材需求增長也十分明顯。OLED典型結(jié)構(gòu)是在氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發(fā)光材料，ITO透明電極作為器件的陽極，鉬或者合金材料作為器件的陰極。平板顯示制造中主要使用的靶材為鉬鋁銅金屬靶材和氧化銦錫（ITO）靶材。目前國內(nèi)單條8.5代線ITO靶材年需求量約40噸，6代線ITO靶材年需求量約20噸。江蘇迪納科精細材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷，金屬，合金等各類型靶材。
IGZO由In2O3、Ga2O3和ZnO相互摻雜得到，是一種透明金屬氧化物半導體材料。IGZO為n型半導體材料，存在3.5 eV左右的帶隙，電子遷移率比非晶硅高1~2個數(shù)量級，其比較大特點是在非晶狀態(tài)下依然具有較高的電子遷移率。由于沒有晶界的影響，非晶結(jié)構(gòu)材料比多晶材料有更好的均勻性，對于大面積制備有巨大的優(yōu)勢。正因為IGZO TFT具有高遷移率、非晶溝道結(jié)構(gòu)、全透明和低溫制備這四大優(yōu)勢，使得IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發(fā)展趨勢。在反應(yīng)濺射過程中，靶材表面的濺射通道區(qū)域被反應(yīng)產(chǎn)物覆蓋或反應(yīng)產(chǎn)物被剝離，金屬表面重新暴露。湖北陶瓷靶材推薦廠家
濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。湖北陶瓷靶材推薦廠家
氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達60mev，比室溫熱離化能(26mev)大得多。第三代半導體材料是指寬禁帶半導體材料，它們的發(fā)光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來，ZnO薄膜的制備技術(shù)及其光電特性成為人們研究的熱點。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導、半導體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應(yīng)用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質(zhì)，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調(diào)制器等壓電轉(zhuǎn)換器，在光電通信領(lǐng)域得到大面積的應(yīng)用。湖北陶瓷靶材推薦廠家
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