發(fā)貨地點(diǎn):江蘇省南京市
發(fā)布時(shí)間:2024-08-12
靶材由“靶坯”和“背板”焊接而成。(1)靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料,屬于濺射靶材的主要部分,涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過程中,靶坯被離子撞擊后,陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià),陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià),陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià),其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。(2)背板起到主要起到固定濺射靶材的作用,涉及焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低,而濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過程。機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境,因此,超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合,背板需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。IGZO作為TFT溝道材料比多晶硅和非晶硅更符合顯示器大尺寸化、高清、柔性和低能耗的未來發(fā)展趨勢(shì)。陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)
透明導(dǎo)電薄膜的種類很多,主要有 ITO,TCO,AZO 等,其中 ITO的性能比較好,ITO具有高透光率,低電阻率。目前 ITO 的制備方法主要是磁控濺射,要獲得高質(zhì)量的 ITO薄膜,制備高密度、高純度和高均勻性的 ITO 靶材是關(guān)鍵。高質(zhì)量的成品 ITO 濺射靶應(yīng)具有99%的相對(duì)密度。這樣的靶材才具有較低電阻率、較高導(dǎo)熱率及較高的機(jī)械強(qiáng)度。高密度靶可以在溫度較低條件下在玻璃基片上濺射,獲得較低電阻率和較高透光率的導(dǎo)電薄膜。甚至可以在有機(jī)材料上濺射 ITO 導(dǎo)電膜。目前ITO靶材的制備方法主要有熱壓法、冷等靜壓-燒結(jié)法、熱等靜壓法。其中采用冷等靜壓-燒結(jié)法,其相對(duì)密度能達(dá)到 99%以上,燒結(jié)溫度高,保溫時(shí)間長(zhǎng),制備工藝復(fù)雜。放電等離子燒結(jié)(SPS)是在脈沖電流作用下,粉末顆粒間放電,產(chǎn)生瞬間高溫進(jìn)行燒結(jié)。SPS技術(shù)具有快速、低溫、高效率等優(yōu)點(diǎn)。能在很低的燒結(jié)溫度下,保溫很短的時(shí)間制備高密度的材料。
山東濺射陶瓷靶材售價(jià)濺射靶材開裂原因生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實(shí)際水溫存在差異,導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。
磁控濺射鍍膜是一種新型的氣相鍍膜方式,就是用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上,使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。這種被鍍的材料就叫濺射靶材濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導(dǎo)體集成電路、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣的應(yīng)用。制程反應(yīng)室內(nèi)部的高溫與高真空環(huán)境,可使這些金屬原子結(jié)成晶粒,再透過微影圖案化與蝕刻,終一層層金屬導(dǎo)線,而芯片的數(shù)據(jù)傳輸全靠這些金屬導(dǎo)線。濺射靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲(chǔ)、液晶顯示屏、激光存儲(chǔ)器、電子控制器件等;亦可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。
靶材主要用于生成太陽(yáng)能薄膜電池的背電極,晶體硅太陽(yáng)能電池較少用到濺射靶材。太陽(yáng)能電池主要包括晶體硅太陽(yáng)能電池和薄膜太陽(yáng)能電池,晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定,且各個(gè)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟,占據(jù)了太陽(yáng)能電池市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。而晶體硅太陽(yáng)能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽(yáng)能電池以及PVD工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽(yáng)能電池,其中硅片涂覆型太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材,目前靶材主要用于太陽(yáng)能薄膜電池領(lǐng)域。靶材濺射鍍膜形成的太陽(yáng)能薄膜電池的背電級(jí)主要有三個(gè)用途:一,它是各單體電池的負(fù)極;二,它是各自電池串聯(lián)的導(dǎo)電通道;三,它可以增加太陽(yáng)能電池對(duì)光的反射。太陽(yáng)能薄膜電池用濺射靶材主要為方形板狀,對(duì)純度要求沒有半導(dǎo)體芯片用靶材要求高,一般在99.99%以上。目前制備太陽(yáng)能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。其中鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn)。
研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料,因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽(yáng)能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中,用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材,直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比,具有沉積速度快,膜質(zhì)優(yōu)良,工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是,此法成膜過程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化,生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤,本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化,毒化使濺射速率下降,膜質(zhì)劣化,迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射,嚴(yán)重影響了鍍膜效率。
氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。云南光伏行業(yè)陶瓷靶材
江蘇迪納科精細(xì)材料股份有限公司是一家主要生產(chǎn)和銷售陶瓷,金屬,合金等各類型靶材。陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)
陶瓷靶材和金屬靶材各自優(yōu)缺點(diǎn):1.導(dǎo)電性:金屬靶材都具有導(dǎo)電性,可以適應(yīng)各種不同電源類型機(jī)臺(tái),而陶瓷靶材因?yàn)榇蟛糠植痪邆鋵?dǎo)電性,只能使用射頻電源. 2.導(dǎo)熱性:金屬靶材導(dǎo)熱性能好,濺射時(shí)可以大功率運(yùn)行.陶瓷靶材導(dǎo)熱性較差,濺射時(shí)功率不宜過高.復(fù)合性:3. 金屬靶材內(nèi)很難摻入其他陶瓷類物質(zhì),濺射后膜層功能比較單一.陶瓷靶材可以根據(jù)需要摻入不同金屬及陶瓷類物質(zhì),濺射后可以形成多種物質(zhì)組成的復(fù)合膜層,這點(diǎn)陶瓷靶材比金屬靶材占優(yōu).陜西智能玻璃陶瓷靶材咨詢報(bào)價(jià)
江蘇迪納科精細(xì)材料股份有限公司是以提供濺射靶材,陶瓷靶材,金屬靶材,等離子噴涂靶材內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù),為消費(fèi)者多方位提供濺射靶材,陶瓷靶材,金屬靶材,等離子噴涂靶材,公司位于南京市江寧區(qū)芳園西路10號(hào)九龍湖國(guó)際企業(yè)園創(chuàng)新中心A座8層,成立于2011-07-22,迄今已經(jīng)成長(zhǎng)為電子元器件行業(yè)內(nèi)同類型企業(yè)的佼佼者。公司主要提供2011年成立,一直專注于PVD磁控濺射靶材的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、應(yīng)用推廣以及靶材回收再利用。產(chǎn)品涵蓋陶瓷靶材、高純金屬靶材、合金靶材、貴金屬靶材、等離子噴涂靶材、蒸發(fā)鍍顆粒及高純陶瓷粉末。20年專注專業(yè),1站式靶材供應(yīng)。等領(lǐng)域內(nèi)的業(yè)務(wù),產(chǎn)品滿意,服務(wù)可高,能夠滿足多方位人群或公司的需要。迪納科材料將以精良的技術(shù)、優(yōu)異的產(chǎn)品性能和完善的售后服務(wù),滿足國(guó)內(nèi)外廣大客戶的需求。