背板材料：無氧銅(OFC)–目前經(jīng)常使用的作背板的材料。因?yàn)闊o氧銅具有良好的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng)，無氧銅背板可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的情況下，如需要進(jìn)行高溫貼合的條件下，無氧銅容易被氧化和發(fā)生翹曲，所以會(huì)使用金屬鉬為背板材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金屬靶材的熱膨脹系數(shù)無法與無氧銅匹配，同樣也需要使用金屬鉬作為背板材料，山西陶瓷靶材廠家，山西陶瓷靶材廠家，山西陶瓷靶材廠家。不銹鋼管(SST)–目前**常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管，因?yàn)椴讳P鋼管具有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱性而且非常經(jīng)濟(jì)。

背板重復(fù)使用大部分背板可以重復(fù)使用，尤其是采用金屬銦進(jìn)行貼合的比較容易進(jìn)行清潔和重新使用。如果是采用其他貼合劑（包括環(huán)氧樹脂）則可能需要采用機(jī)械處理的方式對(duì)背板表面處理后才能重復(fù)使用。當(dāng)我們收到用戶提供的已使用過的背板后，我們會(huì)首先進(jìn)行卸靶處理（如適用）并且對(duì)背板進(jìn)行完全檢查，檢查的重點(diǎn)包括背板的平整度，完整性及密封性等。我們會(huì)通知用戶對(duì)背板的檢查結(jié)果，如我們發(fā)現(xiàn)有需要維修的地方會(huì)書面通知客戶并提供維修報(bào)價(jià)。 目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等。山西陶瓷靶材廠家

氧化鈮靶材根據(jù)其鍍膜工藝的不同分為平面靶材和旋轉(zhuǎn)靶材兩種,所需的氧化鈮純度均要求達(dá)到99.95%,但對(duì)氧化鈮的物理性能指標(biāo)要求不同。平面靶材的生產(chǎn)使用熱壓法,要求氧化鈮粉末粒度細(xì)且均勻,成形性能好;旋轉(zhuǎn)靶材采用熱噴涂法生產(chǎn),要求氧化鈮具有良好的流動(dòng)性及嚴(yán)格的粒度范圍。旋轉(zhuǎn)靶材是近些年新發(fā)展的一種靶材,與傳統(tǒng)的平面靶材相比,旋轉(zhuǎn)靶材相對(duì)于平面靶材具有很多的優(yōu)點(diǎn)： 1、利用率高（70％以上）,甚至可以達(dá)到90％; 2、濺射速度快,為平面靶的2-3倍; 3、有效地減少打弧和表面掉渣,工藝穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),因此近年來逐步替代了平面靶材。 針對(duì)國內(nèi)尚未能生產(chǎn)靶材級(jí)高純氧化鈮的現(xiàn)狀,在現(xiàn)有氧化鈮濕法冶金生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上,以高純鈮液為原料,通過噴霧干燥造粒的方法實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鈮產(chǎn)品粒度和粒形的控制,制取滿足氧化鈮靶材尤其是氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材生產(chǎn)要求的球形高純氧化鈮產(chǎn)品。產(chǎn)品純度為99.95%、粒形為球形、粒度大小范圍為50-150μm的高純氧化鈮產(chǎn)品。與國外同行生產(chǎn)廠家以高純氧化鈮產(chǎn)品為原料,需經(jīng)過球磨、制漿、造粒、焙燒的工藝流程相比,具有工藝流程簡單,生產(chǎn)成本低,粒度可控,產(chǎn)品成品率高的特點(diǎn)。產(chǎn)品完全能夠滿足生產(chǎn)氧化鈮旋轉(zhuǎn)靶材的要求。福建鍍膜陶瓷靶材價(jià)錢靶材的純度越高，薄膜的性能就越好。

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測(cè)氧儀等手段對(duì)毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對(duì)若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會(huì)經(jīng)常發(fā)生ITO靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴(yán)重影響了鍍膜效率。

氧化鋅(ZnO)屬于第三代半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度約為3.37eV，其激子束縛能高達(dá)60mev，比室溫?zé)犭x化能(26mev)大得多。第三代半導(dǎo)體材料是指寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們的發(fā)光波長短(近紫外)，具有耐高溫、抗輻照、制備方法多、毒性小等特點(diǎn)。自1997 年發(fā)現(xiàn)ZnO薄膜的室溫紫外光發(fā)射以來，ZnO薄膜的制備技術(shù)及其光電特性成為人們研究的熱點(diǎn)。ZnO薄膜可以在低于500C的溫度下生長,比ZnSe和GaN的生長溫度低得多。ZnO作為一種新型的光電材料在光波導(dǎo)、半導(dǎo)體紫外激光器、發(fā)光器件，透明電極等方面應(yīng)用大面積。Zno 也是一種十分有用的壓電薄膜材料，高質(zhì)量的單晶或c軸擇優(yōu)取向的多晶ZnO薄膜具有良好的壓電性質(zhì)，能夠用來制備高頻纖維聲光器件及聲光調(diào)制器等壓電轉(zhuǎn)換器，在光電通信領(lǐng)域得到大面積的應(yīng)用。AZO薄膜與ITO薄膜方塊電阻以及電阻率之間的差距逐步縮小。

靶材主要由靶坯、背板等部分組成：其中，靶坯是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源，即高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的重要部分部分，在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上，制成電子薄膜；由于高純度金屬強(qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在特定的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過程，機(jī)臺(tái)內(nèi)部為高電壓、高真空環(huán)境。因此，超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進(jìn)行接合，背板主要起到固定濺射靶材的作用，需要具備良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能。氧化鈮由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)而被廣地應(yīng)用于現(xiàn)代技術(shù)的許多領(lǐng)域。四川氧化鋅陶瓷靶材多少錢

靶材主要由靶坯、背板等部分組成。山西陶瓷靶材廠家

氧化鋁薄膜是一種重要的功能薄膜材料，由于具有較高的介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率、抗輻照損傷能力強(qiáng)、抗堿離子滲透能力強(qiáng)以及在很寬的波長范圍內(nèi)透明等諸多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，使其在微電子器件、電致發(fā)光器件、光波導(dǎo)器件以及抗腐蝕涂層等眾多領(lǐng)域有著廣的應(yīng)用。磁控濺射具有濺射鍍膜速度快，膜層致密，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量，高效率工業(yè)生產(chǎn)等明顯優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用日趨廣，成為工業(yè)鍍膜生產(chǎn)中主要的技術(shù)之一。濺射鍍膜的原理是稀薄氣體在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場(chǎng)的作用下，對(duì)陰極靶材表面進(jìn)行轟擊，把靶材表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動(dòng)能，沿一定的方向射向基體表面，在基體表面形成鍍層。用這種技術(shù)制備氧化鋁膜時(shí)一般都以純鋁為靶材，濺射用的惰性氣體通常選擇氬氣(Ar)，因?yàn)樗�的濺射率比較高。用氬離子轟擊鋁靶并通入氧氣，濺射出的鋁離子和電離得到的氧離子沉積到基片上從而得到氧化鋁膜。按磁控濺射中使用的離子源不同，磁控濺射方法有以下幾種：①直流反應(yīng)磁控濺射；②脈沖磁控濺射；③射頻磁控濺射；④微波-ECR等離子體增強(qiáng)磁控濺射；⑤交流反應(yīng)磁控濺射等。山西陶瓷靶材廠家

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