甘肅化合物半導體光刻機

集成化光刻系統(tǒng)HERCULES光刻量產(chǎn)軌道系統(tǒng)通過完全集成的生產(chǎn)系統(tǒng)和結(jié)合了掩模對準和曝光以及集成的預處理和后處理功能的高度自動化，完善了EVG光刻產(chǎn)品系列。HERCULES光刻軌道系統(tǒng)基于模塊化平臺，將EVG已建立的光學掩模對準技術與集成的清潔，光刻膠涂層，烘烤和光刻膠顯影模塊相結(jié)合。這使HERCULES平臺變成了“一站式服務”，在這里將經(jīng)過預處理的晶圓裝載到工具中，然后返回完全結(jié)構(gòu)化的經(jīng)過處理的晶圓。目前可以預定的型號為：HERCULES。請訪問官網(wǎng)獲取更多的信息。HERCULES的橋接工具系統(tǒng)可對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理。甘肅化合物半導體光刻機

我們可以根據(jù)您的需求提供進行優(yōu)化的多用途系統(tǒng)。我們的掩模對準系統(tǒng)設計用于從掩模對準到鍵合對準的快速簡便轉(zhuǎn)換。此外，可以使用用于壓印光刻的可選工具集，例如UV-納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證軟件，以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。EVG620NT/EVG6200NT可從手動到自動基片處理，實現(xiàn)現(xiàn)場升級。此外，所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術。如果您需要納米壓印設備，請訪問岱美一起官網(wǎng)，或者直接聯(lián)系我們。甘肅化合物半導體光刻機所有系統(tǒng)均支持原位對準驗證的軟件，它可以提高手動操作系統(tǒng)的對準精度和可重復性。

光刻機軟件支持基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分散的全球支持機構(gòu)，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲(HQ),亞洲(日本)和北美(美國).

IQAligner工業(yè)自動化功能：盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米對準方式：上側(cè)對準：≤±0.5μm底側(cè)對準：≤±1,0μm紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基板材料曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式曝光選項：間隔曝光/洪水曝光系統(tǒng)控制操作系統(tǒng)：Windows文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數(shù)多語言用戶GUI和支持：CN，DE，F(xiàn)R，IT，JP，KR實時遠程訪問，診斷和故障排除產(chǎn)能全自動：弟一批生產(chǎn)量：每小時85片全自動：吞吐量對準：每小時80片HERCULES對準精度：上側(cè)對準：≤±0.5μm；底側(cè)對準：≤±1,0μm；紅外校準：≤±2,0μm/具體取決于基材。

這使得可以在工業(yè)水平上開發(fā)新的設備或工藝，這不僅需要高度的靈活性，而且需要可控和可重復的處理。EVG在要求苛刻的應用中積累了多年的旋涂和噴涂經(jīng)驗，并將這些知識技能整合到EVG100系列中，可以利用我們的工藝知識為客戶提供支持。光刻膠處理設備有：EVG101光刻膠處理，EVG105光刻膠烘焙機，EVG120光刻膠處理自動化系統(tǒng)；EVG150光刻膠處理自動化系統(tǒng)。如果您需要了解每個型號的特點和參數(shù)，請聯(lián)系我們，我們會給您提供蕞新的資料?；蛘咴L問我們的官網(wǎng)獲取相關信息。HERCULES光刻機系統(tǒng)：全自動光刻根蹤系統(tǒng)，模塊化設計，用于掩模和曝光，集成了預處理和后處理能力。高精密儀器光刻機推薦型號

我們可以根據(jù)您的需求提供進行優(yōu)化的多用途系統(tǒng)。甘肅化合物半導體光刻機

光刻機處理結(jié)果:EVG在光刻技術方面的合心競爭力在于其掩模對準系統(tǒng)（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂層平臺（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設備平臺均為300mm，可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中，并輔以其用于從上到下側(cè)對準驗證的計量工具。高級封裝：在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開口；在EVG的IQAlignerNT®上進行撞擊40μm厚抗蝕劑；負側(cè)壁，帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間；用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu)，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果；西門子星狀測試圖暴露在EVG®6200NT上，展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力；MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。甘肅化合物半導體光刻機