重慶鍵合機(jī)國內(nèi)用戶

來源: 發(fā)布時間:2024-09-11

EVGroup開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時進(jìn)行裸片和晶圓級設(shè)計,支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 同時,EVG研發(fā)生產(chǎn)的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。重慶鍵合機(jī)國內(nèi)用戶

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封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)[1]。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術(shù)[2]。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求,要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,這DADA加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率[3]。 寧夏EVG820鍵合機(jī)在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合。

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ZiptronixInc.與EVGroup(簡稱“EVG”)近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測量的適當(dāng)?shù)膶?zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對準(zhǔn)精度,此對準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!?nbsp;

EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn):±2μm3σ 透明對準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補(bǔ)償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米 厚度:0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度:10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個卡帶站 可選:ZUI多5個站 EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢?

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該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點(diǎn)擊:鍵合機(jī)。 EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500套。原裝進(jìn)口鍵合機(jī)供應(yīng)商家

EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計,注重用戶友好性,可輕松引導(dǎo)操作員完成每個流程步驟。重慶鍵合機(jī)國內(nèi)用戶

在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。重慶鍵合機(jī)國內(nèi)用戶