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ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產品和服務。 WMM7037AT2-4/TR MEMS麥克風（硅麥）封裝：LGA-4(3x3.8)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3103C

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應用中，無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應用：

· 手機

· MID（移動設備）

· 路由器

· 其他電子設備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩(wěn)定、高效CMOS開關，適用于手持和消費電子產品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM02143DNWS72551E-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設計。在現(xiàn)代電子設備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應，將電壓限制在安全范圍內，從而保護電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸?shù)臏蚀_性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設計使得它非常適合用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、醫(yī)療設備和消費電子產品等。無論是對于工業(yè)應用還是日常消費應用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護，確保設備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產品和服務。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WD3133E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2866D

SPD8811B-2/TR 半導體放電管（TSS） 封裝：SMB。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3103C

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內部采用MOSFET架構，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產品。其內置MOSFET簡化了電路設計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時，自動進入低電流和關機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標準，適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3103C

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