規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56151D04

來源: 發(fā)布時間:2024-03-04

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護。它被設計用于替代消費設備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設備。ESD9X5VL結合了一對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受8/20μs脈沖的峰值電流高達4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標準產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

應用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM4006-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56151D04

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WS4612:60mΩ電流限制型電源分配開關

產(chǎn)品描述

    WS4612是一款具有高側開關和極低導通電阻的P-MOSFET。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4612還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L兩種封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍:2.5-5.5V

· 主開關RON:60mΩ@VIN=5.0V

· 電流限制精度:±15%

· 調整電流限制范圍:0.1A-2.5A(典型值)

· 典型上升時間:600μS

· 靜態(tài)供電電流:26μA

· 欠壓鎖定

· 自動放電

· 反向阻斷(無“體二極管”)

· 過溫保護


應用領域

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

     WS4612是功能豐富的電源分配開關,專為現(xiàn)代電子設備電源管理和保護設計。極低導通電阻和集成電流限制功能,應對高電容負載和短路情況。反向保護和自動放電功能增強安全性。適用于USB外設、數(shù)據(jù)卡和電源分配,確保設備穩(wěn)定運行。緊湊封裝,環(huán)保無鉛無鹵素設計,易集成。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56181W12WS72358M-8/TR 運算放大器 封裝:MSOP-8。

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WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結構,WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費者和網(wǎng)絡應用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應用領域

LCD電視

機頂盒(STB)

計算機和圖形卡

網(wǎng)絡通信設備

其他便攜式電子設備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡應用,輸出電壓準確穩(wěn)定。具備過熱保護和限流功能,增強可靠性。您如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的槽型技術和設計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 槽型技術

· 超高密度單元設計

· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓


應用領域:

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換器

· 電路電源開關

· 負載開關充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術的N溝道MOSFET,專為高效能應用而設計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。無論是驅動繼電器、電磁閥還是電機,或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。

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    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5311X可提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準,能承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝,為標準無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性:

截止電壓:5V

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術

應用領域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器,可承受高達±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流,保護電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口,確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保,廣泛應用于便攜式設備和筆記本電腦。如需更多信息,請查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝:TSSOP-14。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56201D12

WL2803E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56151D04

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用:低電流整流

介紹:

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。

    此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強,無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。

    總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師,都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56151D04

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