規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-03-06

    ESD5431Z-2/TR:電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的雙向保護(hù)機(jī)制,確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時(shí),能夠迅速抑制電壓波動(dòng),保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力,根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路,能夠承受高達(dá)40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計(jì)使得集成更為便捷,同時(shí)無鉛和不含鹵素的標(biāo)準(zhǔn)也符合環(huán)保要求。

    無論是手機(jī)、計(jì)算機(jī)還是微處理器,它都能為這些設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的電壓保護(hù),確保它們?cè)诟鞣N惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費(fèi)電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 WL2836D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:UDFN-4-EP(1x1)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12

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      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR(電源抑制比)以及高速CMOSLDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)。其高精度與出色的性能,使其在手機(jī)、筆記本電腦以及其他便攜式設(shè)備中表現(xiàn)出色,為用戶提供了前所未有的性價(jià)比體驗(yàn)。這款設(shè)備不僅具有出色的限流折回電路,能夠同時(shí)作為短路保護(hù)和輸出電流限制器,而且采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝,確保產(chǎn)品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍(2.7V~5.5V)、靈活的輸出電壓范圍(1.2V~3.3V)、以及高達(dá)300mA的輸出電流能力。其高達(dá)75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色,確保了電源噪聲的有效抑制。此外,其低dropout電壓(170mV@IOUT=200mA)和極低靜態(tài)電流(70μA)使得它在低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)突出。

     這款產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域較廣,包括MP3/MP4播放器、手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)、藍(lán)牙和無線手持設(shè)備以及其他便攜式電子設(shè)備。無論是對(duì)于追求高性能的設(shè)計(jì)師,還是對(duì)于尋求成本效益的生產(chǎn)商,WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件的代理分銷,并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的自信和對(duì)客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技,您將獲得優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WHS3844QWNM3003-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。

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WPM1481:?jiǎn)蜳溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

    WPM1481是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WPM1481為無鉛產(chǎn)品。小型DFN2*2-6L封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)器

· DC-DC轉(zhuǎn)換電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電應(yīng)用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。同時(shí),其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色。WPM1481作為無鉛產(chǎn)品,還符合環(huán)保要求。無論是用于驅(qū)動(dòng)繼電器、電磁閥、電機(jī)還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WNM2016A:N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管

產(chǎn)品描述:

WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元

· 設(shè)計(jì)出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓


應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器

· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)提供了優(yōu)越的電氣性能,包括低RDS(ON)和低柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外,極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇,因?yàn)樗饶軌蛱峁?qiáng)大的性能,又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路,還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān),WNM2016A都是一個(gè)出色的選擇,能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM2046E-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。

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ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達(dá)±10kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓:±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護(hù):±10kV(接觸放電)

根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):5.5A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術(shù)


應(yīng)用領(lǐng)域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器,保護(hù)敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:X1-DFN1006-2。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3401A1

WL2803E18-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12

ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景,包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測(cè)試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W12

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