中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，每條線路的瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過(guò)應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD56201D04-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí)，極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾SPD8811BESD63011N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別針對(duì)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產(chǎn)生的過(guò)應(yīng)力。ESD5311Z包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311Z可用于提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

截止電壓：5V

每條線路根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應(yīng)用領(lǐng)域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)，極低電容，出色保護(hù)，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護(hù)敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無(wú)鉛器件

應(yīng)用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無(wú)鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng)，無(wú)鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí)，也符合了環(huán)保要求。

    總的來(lái)說(shuō)，RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無(wú)鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師，都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 RB521C30-2/TR 肖特基二極管 封裝：SOD-923。

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并提供高達(dá)2A的連續(xù)輸出電流。內(nèi)部同步功率開(kāi)關(guān)可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開(kāi)關(guān)頻率工作，并采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）。在輕負(fù)載電流時(shí)，它會(huì)進(jìn)入脈沖跳變調(diào)制（PSM）操作，以在整個(gè)負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護(hù)、熱保護(hù)和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛和無(wú)鹵素產(chǎn)品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開(kāi)關(guān)頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關(guān)機(jī)電流，60μA的靜態(tài)電流

· 內(nèi)部5mS軟啟動(dòng)

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內(nèi)部功率HSMOSFET開(kāi)關(guān)

· 75mΩ內(nèi)部同步LSMOSFET開(kāi)關(guān)

· 逐周期過(guò)流保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應(yīng)用

· 白色家電

· 消費(fèi)類應(yīng)用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉(zhuǎn)換的多種應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD3100B-6/TR LED驅(qū)動(dòng) 封裝：SC-70-6（SOT-363）。中文資料WILLSEMI韋爾WHS3804Q

WSB5546N-2/TR 肖特基二極管 封裝：DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計(jì)。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達(dá)8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強(qiáng)大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無(wú)鉛和無(wú)鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備，以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測(cè)試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問(wèn)題或需求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 中文資料WILLSEMI韋爾WD1042E

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