中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W

來源: 發(fā)布時間:2024-03-22

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比(PSRR)的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護(hù)(OTP)和電流限制功能,以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性,并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V

· 輸出電流:500mA

· PSRR:在1KHz時為65dB

· 壓差電壓:在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲:100μV

· 靜態(tài)電流:典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 液晶電視(LCD TV)

· 機頂盒(STB)

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理,具有極低壓差、低電流和高PSRR特性,確保靈活和準(zhǔn)確的電壓輸出。緊湊環(huán)保,易于集成,適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451NL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W

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WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計。在現(xiàn)代電子設(shè)備中,由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件,電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn),為這些設(shè)備提供了可靠的防護(hù)。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性,能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應(yīng),將電壓限制在安全范圍內(nèi),從而保護(hù)電路中的敏感組件免受損壞。

      此外,WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值,確保了信號傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中,如通信設(shè)備、計算機、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等。無論是對于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費應(yīng)用,WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護(hù),確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商,致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器,并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2179WL2803E30-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

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WS3202E:過壓和過流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述:

WS3202E是一款集過壓保護(hù)(OVP)和過流保護(hù)(OCP)功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時,該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護(hù)負(fù)載。此外,過溫保護(hù)(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L

產(chǎn)品特性:

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓:25V

· 輸出上電時間:8ms(典型值)

· OVP閾值:6.1V(典型值)

· OVP響應(yīng)時間:<1us

· OCP閾值:2A(最小值)

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域:

· GPS設(shè)備

· PMP(便攜式媒體播放器)

· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· PAD(平板電腦)

· 數(shù)碼相機

· 數(shù)字?jǐn)z像機

     WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護(hù)IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計用于替代消費設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線路提供瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 ESD5Z5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOD-523。

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ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護(hù)神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達(dá)±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達(dá)8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護(hù)

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進(jìn)一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。 WNM2016A-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾WPMD2010

WNM3003-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應(yīng)晶體管,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56131W