規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD73064D

RB521C30：肖特基勢(shì)壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢(shì)壘二極管以其低正向電壓為特點(diǎn)，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢(shì)壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘?hào)轉(zhuǎn)換為直流信號(hào)，這對(duì)于許多電子設(shè)備來(lái)說(shuō)都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場(chǎng)合，如電池供電的設(shè)備或需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7027ATHD1-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥） 封裝：SMD-4P,1.9x2.8mm。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD73064D

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應(yīng)用于消費(fèi)設(shè)備，如手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對(duì)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù)，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效、可靠的電源保護(hù)。無(wú)論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WHS3814QWL2801E33-5/TR 線件穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

    ESD5641DXX是一款專為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì)，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來(lái)保護(hù)USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

技術(shù)特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù)，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無(wú)論是在電源保護(hù)還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對(duì)于要求高輸出電流的消費(fèi)者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列提供了過(guò)熱保護(hù)（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯(cuò)誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無(wú)鉛且無(wú)鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時(shí)為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時(shí)為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機(jī)頂盒（STB）

· 計(jì)算機(jī)、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準(zhǔn)確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥）封裝：SMD-4P,3x3.8mm。

ESD5341N：?jiǎn)尉€、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它被特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。ESD5341N包含一個(gè)低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù)，特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WNM2020A

WD1042E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD73064D

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，專為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過(guò)VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開(kāi)隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開(kāi)關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD73064D