中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56301D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5302VWS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝：SOT-23-6L。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝：TSSOP-14。

ESD5305F：四通道單向低電容瞬態(tài)電壓抑制器

      產品描述：ESD5305F是一款專為保護高速數(shù)據(jù)接口設計的低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管，以提供各方面的瞬態(tài)保護。封裝與環(huán)保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封裝，滿足無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產品特性：

反向截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2標準，每條線路提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

根據(jù)IEC61000-4-5標準，可承受高達6A（8/20μs）的峰值脈沖電流

低電容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮動狀態(tài)）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

極低泄漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固態(tài)硅技術

應用領域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子產品

筆記本電腦

關于ESD5305F 如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關 封裝：WDFN-8(2x2)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WD3136E

WS72552M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E