中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

    WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件，其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

特點：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，3407通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)實現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導(dǎo)通時，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門極電荷：門極電荷是描述開關(guān)器件從關(guān)閉到打開或從打開到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門極電荷可以更快地開關(guān)，從而減少開關(guān)損耗。無鉛：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛產(chǎn)品有需求的場合。

應(yīng)用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設(shè)備：由于它的快速開關(guān)和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設(shè)備，如智能手機、平板電腦等。

    電池供電系統(tǒng)：在電池供電的應(yīng)用中，減少能量損失和延長電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。

    DC/DC轉(zhuǎn)換器：這是3407的主要應(yīng)用之一，用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。

    負(fù)載開關(guān)：3407可以用于控制電路的通斷，實現(xiàn)負(fù)載開關(guān)的功能。

    如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開關(guān) 封裝：WDFN-8(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WH2509FWAS4729QB-10/TR 模擬開關(guān)/多路復(fù)用器 封裝：QFN-10(1.8x1.4)。

WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應(yīng)晶體管

產(chǎn)品描述：

WNM2016A它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元

· 設(shè)計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器

· 電路便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其獨特的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設(shè)備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源轉(zhuǎn)換器電路，還是便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源開關(guān)，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護(hù)電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn)，為這些設(shè)備提供了可靠的防護(hù)。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應(yīng)，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護(hù)電路中的敏感組件免受損壞。

      此外，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性。 其緊湊的封裝設(shè)計使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中，如通信設(shè)備、計算機、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等。無論是對于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費應(yīng)用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護(hù)，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商，致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WNM6002-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323-3。

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負(fù)載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結(jié)構(gòu)，WL2803E在整個輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護(hù)（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以內(nèi)。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準(zhǔn)確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設(shè)備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WS742905S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56321N09

WD3139F-6/TR LED驅(qū)動 封裝：TSOT-23-6。中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號，這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C