中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04

    WS3222是一款具有可調OVLO（過壓鎖定）閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時，該設備將關閉內部MOSFET，斷開輸入到輸出的連接，以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時，WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整，OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監(jiān)控芯片溫度，以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。

特點：

· 輸入電壓：29V

· 導通電阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP響應時間：450ns（典型值）

· 可調OVLO

· 閾值電壓：4V~15V

應用：

· 手機和平板電腦

· 便攜式媒體播放器

· STB、OTT（機頂盒、互聯網電視）

· 汽車DVR、汽車媒體系統外設

    WS3222是專為現代便攜設備設計的靈活高效過壓保護開關。其特色在于可調OVLO閾值，為不同應用提供定制化保護。超快450納秒OVP響應時間確保負載在瞬間過壓下得到保護。低導通電阻減少正常功耗。集成OTP功能增強可靠性。緊湊封裝適合空間受限應用，符合環(huán)保標準。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 ESD73131CZ-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

技術特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs

· 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術

應用領域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM2081WPM1483-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止因靜電放電（ESD）而產生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD5311Z可用于提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

截止電壓：5V

每條線路根據IEC61000-4-2（ESD）標準進行瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

根據IEC61000-4-4（EFT）標準進行瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據IEC61000-4-5（浪涌）標準進行瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=21V（典型值）@IPP=16A（TLP）

應用領域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數據接口設計，極低電容，出色保護，防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口，保護敏感組件。緊湊封裝，適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯系我們。

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景，如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統等。它能從各方面保護電源接口，提高設備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯系我們。 WS72412S-8/TR 運算放大器 封裝：SOIC-8。

ESD5341N：單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數據接口而設計。它被特別用來保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝，為標準產品，無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs）

· 低電容：CJ=1.0pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用領域包括：

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數據接口提供了出色的靜電放電保護，特別適用于需要高數據傳輸速率和嚴格ESD防護的應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯系制造商。 WNM2016A-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS72544

WD1042E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統的穩(wěn)定性。同時，采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環(huán)保設計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04