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來源: 發(fā)布時間:2024-04-05

ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備,以及網絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產品和服務。 WS72551E-5/TR 運算放大器 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E

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    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點與優(yōu)勢:

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關機電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應用領域:

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM3401AWS742905M-8/TR 運算放大器 封裝:MSOP-8。

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ESD5311Z單線、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述

     ESD5311Z是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,以防止因靜電放電(ESD)而產生的過應力。ESD5311Z包含一個極低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,ESD5311Z可用于提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5311Z采用DFN0603-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

截止電壓:5V

每條線路根據IEC61000-4-2(ESD)標準進行瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

根據IEC61000-4-4(EFT)標準進行瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)

根據IEC61000-4-5(浪涌)標準進行瞬態(tài)保護:4A(8/20μs)

極低電容:CJ=0.25pF(典型值)

極低漏電流:IR<1nA(典型值)

低鉗位電壓:VCL=21V(典型值)@IPP=16A(TLP)


應用領域

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設備

筆記本電腦 

     ESD5311Z專為高速數據接口設計,極低電容,出色保護,防止靜電放電損害。適用于USB、HDMI等接口,保護敏感組件。緊湊封裝,適合便攜式設備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關,專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應用中,無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V

應用領域:

· 手機

· MID(移動互聯(lián)網設備)

· 其他便攜式設備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 WL2836D18-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1)。

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WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 RB521C30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-923。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD5451ZL

WNM2030-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-723。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管,專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時,低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號,進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器,其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽能充電器,以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有的適用性??傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM03120E