WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET
產(chǎn)品描述
WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術(shù)
· 超高密度單元設(shè)計
· 出色的導(dǎo)通電阻
· 極低的閾值電壓
應(yīng)用領(lǐng)域:
· DC/DC轉(zhuǎn)換器
· 電源轉(zhuǎn)換器電路
· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換
WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037ATSN0-4/TR MEMS麥克風(fēng)(硅麥)封裝:LGA-4(3x3.8)。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR
WS3202E:過壓和過流保護IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過壓保護(OVP)和過流保護(OCP)功能于一體的保護設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時,該設(shè)備會關(guān)閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護負載。此外,過溫保護(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,確保設(shè)備安全。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術(shù)
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應(yīng)時間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應(yīng)用領(lǐng)域:
· GPS設(shè)備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機
· 數(shù)字攝像機
WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC,為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WCR380N65TGWNM6001-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23。
ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環(huán)保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
技術(shù)特性:
· 反向截止電壓:7.5V~15V
· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護8/20μs
· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護10/1000μs
· 低鉗位電壓
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 電源保護
· 電源管理
ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,為電源接口提供了可靠的防護。特別適合用于USB端口保護,其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無論是在電源保護還是電源管理方面,ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設(shè)備和消費電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號而設(shè)計,如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個開關(guān)都是雙向的,對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(480Mbps)并保持信號完整性。
特性:
D+/D-上的特殊電路設(shè)計,使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開啟。
SEL/OE引腳具有過壓保護,允許電壓高于VCC,高達7.0V存在于引腳上,而不會損壞或中斷部件的操作,無論工作電壓如何。
還具有智能電路,用于至小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說,在實際應(yīng)用中,無需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。
應(yīng)用:
· 手機
· MID(移動設(shè)備)
· 路由器
· 其他電子設(shè)備
WAS7227Q是專為高速USB2.0設(shè)計的穩(wěn)定、高效CMOS開關(guān),適用于手持和消費電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5503W-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-323。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列,專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別設(shè)計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件,免受靜電放電(ESD)引起的過度應(yīng)力。ESD73034D結(jié)合了四對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),ESD73034D可用于提供高達±10kV(接觸放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達5.5A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。
產(chǎn)品特性
截止電壓:±3.3VMax
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±10kV(接觸放電)
根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護:40A(5/50ns)
根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護:5.5A(8/20μs)
極低電容:CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設(shè)備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護敏感元件免受靜電放電損害,適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設(shè)備,緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-923。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCR380N65TF
WL2836D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN-4-EP(1x1)。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR
ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。
特性:
· 截止電壓:±3.3V
· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),提供±30kV(接觸放電)的ESD保護
· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),提供40A(5/50ns)的EFT保護
· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),提供10A(8/20μs)的浪涌保護
· 電容:典型值為17.5pF
· 低泄漏電流:典型值為1nA
· 低鉗位電壓:在脈沖電流為16A(TLP)時,典型值為8V。
· 固態(tài)硅技術(shù)
應(yīng)用:
· 手機
· 計算機和外設(shè):為計算機主板、顯示器、鍵盤等
· 微處理器
· 電源線
· 便攜式電子設(shè)備
· 筆記本電腦
ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色,封裝緊湊,環(huán)保特性強,廣泛應(yīng)用于手機、計算機和便攜式設(shè)備,確保設(shè)備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR