ESD56151Wxx:電源保護新選擇
ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器,是為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源接口設(shè)計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V,有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準,為電路提供強大的浪涌保護,同時遵循IEC61000-4-2標準,提供±30kV的ESD保護。
ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設(shè)計,能迅速將電壓限制在安全范圍內(nèi),減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術(shù)確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性,確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。
這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應(yīng)用場景,如便攜式電子設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口,提高設(shè)備穩(wěn)定性和可靠性,延長使用壽命,降低維修和更換成本。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術(shù)支持,請隨時聯(lián)系我們。 WPM2031-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-723。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD63004D
ESDA6V8AV6靜電放電(ESD)保護的瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器,為可能受到靜電放電(ESD)影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平。對于正瞬態(tài),這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上;對于負瞬態(tài),則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊,超過了IEC61000-4-2國際標準的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人體模型(HBM)ESD規(guī)格,該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝,工作電壓為5伏特。
規(guī)格特性:
· 工作峰值反向電壓:5V
· 低漏電流:<1uA@3V
· 高ESD保護水平:每HBM>20kV
· IEC61000-4-2四級ESD保護
· IEC61000-4-4四級EFT保護
· 五種單獨的單向配置
機械特性:
· 無空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼
· 耐腐蝕表面,易于焊接
應(yīng)用領(lǐng)域:
· 手機和配件
· 個人數(shù)字助理(PDA)
· 筆記本電腦、臺式機和服務(wù)器
· 便攜式儀器
· 數(shù)碼相機
· 外設(shè)MP3播放器
ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器,保護電子組件免受靜電放電影響。具有強ESD保護和低漏電流,能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標準,適用于手機、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56201D24WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。
ESD5451N:雙向瞬態(tài)電壓保護神
ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設(shè)計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護
這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。
ESD5451N適用于多種應(yīng)用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設(shè)備,以及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性,為電子設(shè)備提供了可靠的保障。
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關(guān)于ESD5451N的進一步問題或需求,請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作,為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù)。
RB521S30肖特基勢壘二極管
特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件
應(yīng)用:低電流整流
介紹:
RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。
此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。
值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強,無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。
總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計工程師,都能從中受益。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WMM7037AT6-4/TR MEMS麥克風(硅麥)封裝:SMD-4P,3x3.8mm。
WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中,WS72551是單放大器,WS72552是雙放大器,分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍(-40°C至+125°C)。封裝72551:MSOP-8 SOIC8和SOT23-5L。72552:MSOP-8 SOIC8。
技術(shù)特性:偏移電壓只有3μV,漂移為0.008μV/°C,使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移,因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。
應(yīng)用領(lǐng)域:
溫度傳感器
壓力傳感器
精密電流感測
應(yīng)變計放大器
醫(yī)療儀器
熱電偶放大器
WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性,適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用,為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742905S-8/TR 運算放大器 封裝:SOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾ESD5302F
WS72412S-8/TR 運算放大器 封裝:SOIC-8。規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD63004D
WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器,具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護,還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。
產(chǎn)品特點:
· 輸入電壓范圍:2.7V至5.5V
· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V
· 輸出電流:在輸出電壓小于2V時,典型值為200mA;在輸出電壓大于2V時,典型值為300mA。
· 電源抑制比(PSRR):在217Hz時達到75dB
· 壓差電壓:在輸出電流為200mA時,壓差為170mV
· 靜態(tài)電流:典型值為70μA
· 關(guān)斷電流:小于0.1μA
· 推薦電容器:1uF
應(yīng)用領(lǐng)域:
· MP3/MP4播放器
· 手機和無線電話
· 數(shù)碼相機
· 藍牙和無線手持設(shè)備
· 其他便攜式電子設(shè)備
WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點,為現(xiàn)代便攜式設(shè)備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器,它都能確保設(shè)備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應(yīng)。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD63004D