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WAS4729QB：低導(dǎo)通電阻（0.8?）雙SPDT模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，具有負(fù)擺幅音頻功能，其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?（在3.6VVCC下）。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作，并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路，即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)，也能至小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用，因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口，同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話說，在實(shí)際應(yīng)用中，無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓：2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻：0.8?（在3.6V下）

高關(guān)斷隔離度：-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制：-83dB@1KHz-3dB帶寬：80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

電源至GND：±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān)，專為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)，適合音頻和視頻信號(hào)路由，性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5311N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：X1-DFN1006-2。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C

    WS4665是一個(gè)單通道負(fù)載開關(guān)，提供可配置的上升時(shí)間以極小化涌流。該設(shè)備包含一個(gè)N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關(guān)由開/關(guān)輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號(hào)接口。在WS4665中，增加了一個(gè)230Ω的片上負(fù)載電阻，用于在開關(guān)關(guān)閉時(shí)進(jìn)行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負(fù)載開關(guān)

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導(dǎo)通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關(guān)上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時(shí)間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經(jīng)過JESD22測(cè)試2000VHBM和1000VCDM

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網(wǎng)本

· 平板電腦

· 消費(fèi)電子產(chǎn)品

· 機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，如超極本、筆記本電腦/上網(wǎng)本、平板電腦、消費(fèi)電子產(chǎn)品、機(jī)頂盒/住宅網(wǎng)關(guān)以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)或與我們聯(lián)系。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632CWD1033E-5/TR DC-DC電源芯片 封裝：SOT-23-5L。

WS3202E：過壓和過流保護(hù)IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過壓保護(hù)（OVP）和過流保護(hù)（OCP）功能于一體的保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓或輸入電流超過閾值時(shí)，該設(shè)備會(huì)關(guān)閉內(nèi)部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護(hù)負(fù)載。此外，過溫保護(hù)（OTP）功能會(huì)監(jiān)控芯片溫度，確保設(shè)備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術(shù)

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時(shí)間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應(yīng)時(shí)間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應(yīng)用領(lǐng)域：

· GPS設(shè)備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機(jī)

· 數(shù)字?jǐn)z像機(jī)

     WS3202E是一款功能強(qiáng)大的過壓和過流保護(hù)IC，為電子設(shè)備提供了雙重安全保障。其高壓技術(shù)、快速響應(yīng)時(shí)間和靈活的輸出放電功能使其在各種應(yīng)用場(chǎng)合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設(shè)備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時(shí)其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn)，每條線路的瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計(jì)的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝：SOT-363。

WNM2021：?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產(chǎn)品，符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WMM7040DTHN0-8/TR MEMS麥克風(fēng)（硅麥）封裝：SMD-8P,3x4mm。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS72142

WL2836D30-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護(hù)水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級(jí)ESD保護(hù)

· IEC61000-4-4四級(jí)EFT保護(hù)

· 五種單獨(dú)的單向配置

機(jī)械特性：

· 無空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)和配件

· 個(gè)人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機(jī)

· 外設(shè)MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護(hù)器，保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)，適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4632C