代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM3018A

    WS4508E是一款針對(duì)單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構(gòu)，無(wú)需外部感測(cè)電阻和阻斷二極管。熱反饋機(jī)制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過(guò)一個(gè)外部電阻進(jìn)行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達(dá)600mA

· 過(guò)溫保護(hù)

· 欠壓鎖定保護(hù)

· 自動(dòng)再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動(dòng)限制浪涌電流

應(yīng)用：

· 無(wú)線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍(lán)牙設(shè)備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，降低了成本。其熱反饋機(jī)制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應(yīng)不同電池和充電需求。充電結(jié)束和電源移除時(shí)，自動(dòng)進(jìn)入低電流和關(guān)機(jī)模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于各種電子設(shè)備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WNM6001-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM3018A

ESD9B5VL：?jiǎn)尉€雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個(gè)雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設(shè)計(jì)用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過(guò)應(yīng)力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備，保護(hù)敏感電子組件。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓，穩(wěn)定可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS4684CESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品，不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管，具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類(lèi)型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降，而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn)，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專(zhuān)為在手持設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號(hào)而設(shè)計(jì)，如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個(gè)開(kāi)關(guān)都是雙向的，對(duì)高速信號(hào)的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(hào)（480Mbps）并保持信號(hào)完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設(shè)計(jì)，使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無(wú)論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開(kāi)啟。

SEL/OE引腳具有過(guò)壓保護(hù)，允許電壓高于VCC，高達(dá)7.0V存在于引腳上，而不會(huì)損壞或中斷部件的操作，無(wú)論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說(shuō)，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)設(shè)備）

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專(zhuān)為高速USB2.0設(shè)計(jì)的穩(wěn)定、高效CMOS開(kāi)關(guān)，適用于手持和消費(fèi)電子產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨(dú)特電路和過(guò)壓保護(hù)增強(qiáng)其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請(qǐng)查數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5611N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    WPM3407是一款使用先進(jìn)溝槽技術(shù)制成的器件，其特點(diǎn)是在低門(mén)極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

特點(diǎn)：

    RDS(ON)出色：RDS(ON)是指器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻，3407通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低RDS(ON)，這意味著在器件導(dǎo)通時(shí)，其電阻較小，從而減小了能量損失。低門(mén)極電荷：門(mén)極電荷是描述開(kāi)關(guān)器件從關(guān)閉到打開(kāi)或從打開(kāi)到關(guān)閉所需電荷量的參數(shù)。3407的低門(mén)極電荷可以更快地開(kāi)關(guān)，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。無(wú)鉛：符合環(huán)保要求，適用于對(duì)無(wú)鉛產(chǎn)品有需求的場(chǎng)合。

應(yīng)用：

    筆記本電腦的電源管理：3407可以用于筆記本電腦中的DC-DC轉(zhuǎn)換器，以提供穩(wěn)定的電源。

    便攜式設(shè)備：由于它的快速開(kāi)關(guān)和低能量損失，3407也適用于各種便攜式設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦等。

    電池供電系統(tǒng)：在電池供電的應(yīng)用中，減少能量損失和延長(zhǎng)電池壽命是非常重要的，3407的出色RDS(ON)和低門(mén)極電荷特性使其成為電池供電系統(tǒng)的理想選擇。

    DC/DC轉(zhuǎn)換器：這是3407的主要應(yīng)用之一，用于將一種直流電壓轉(zhuǎn)換為另一種直流電壓。

    負(fù)載開(kāi)關(guān)：3407可以用于控制電路的通斷，實(shí)現(xiàn)負(fù)載開(kāi)關(guān)的功能。

    如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS742904M-8/TR 運(yùn)算放大器 封裝：MSOP-8。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM3018A

WNM2021-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-323。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM3018A

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護(hù)水平。對(duì)于正瞬態(tài)，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上；對(duì)于負(fù)瞬態(tài)，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊，超過(guò)了IEC61000-4-2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護(hù)。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝，工作電壓為5伏特。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護(hù)水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級(jí)ESD保護(hù)

· IEC61000-4-4四級(jí)EFT保護(hù)

· 五種單獨(dú)的單向配置

機(jī)械特性：

· 無(wú)空洞、轉(zhuǎn)移模制、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面，易于焊接

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)和配件

· 個(gè)人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機(jī)

· 外設(shè)MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護(hù)器，保護(hù)電子組件免受靜電放電影響。具有強(qiáng)ESD保護(hù)和低漏電流，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)，適用于手機(jī)、筆記本等便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WNM3018A