規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

    WS4665是一個單通道負載開關，提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作，并支持連續(xù)電流上線為6A。開關由開/關輸入（ON）控制，該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中，增加了一個230Ω的片上負載電阻，用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節(jié)省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

主要特性：

· 集成單通道負載開關

· 輸入電壓范圍：0.8V至5.5V

· 極低導通電阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 連續(xù)開關上限電流為6A

· 低控制輸入閾值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V邏輯

· 可配置的上升時間

· 快速輸出放電（QOD）

· ESD性能經過JESD22測試2000VHBM和1000VCDM

應用領域：

· 超極本TM

· 筆記本電腦/上網本

· 平板電腦

· 消費電子產品

· 機頂盒/住宅網關

· 電信系統(tǒng)

    WS4665適用于多種應用場合，如超極本、筆記本電腦/上網本、平板電腦、消費電子產品、機頂盒/住宅網關以及電信系統(tǒng)等。如需更多信息或技術規(guī)格，請查閱相關數(shù)據(jù)手冊或與我們聯(lián)系。 WS7802DE-6/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：DFN-6L(1.1x0.7)。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD73034D是一種極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

截止電壓：±3.3VMax

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態(tài)保護：±10kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護：40A（5/50ns）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：5.5A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.2pFtyp

低漏電流

低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固態(tài)硅技術

應用領域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便攜式電子設備

筆記本電腦

     ESD73034D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環(huán)保。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾SPD8811BWPM2031-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-723。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM4006-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

WL2836E：低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR（電源抑制比）、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器，具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流，因此電流限制功能既作為短路保護，又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

· 輸入電壓范圍：1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍：0.8V~3.3V

· 輸出電流：300mA

· 靜態(tài)電流：50μATyp

· 關機電流：<1μA

· 壓降電壓：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲：20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差：±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器：1μF

· 熱過載和短路保護

應用領域

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數(shù)碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器，專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設備設計。寬輸入電壓范圍和可調輸出電壓使其應用靈活。內置折返至高輸出電流和電流限制功能，提供額外保護。緊湊SOT-23-5L封裝，無鉛無鹵素，滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5651N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3055

WPM2341-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WAS4730QL