代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56201D24

    WL2803E系列是一款極低壓差、低靜態(tài)電流、高電源抑制比（PSRR）的CMOS低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，這使得它對于要求高輸出電流的消費者、網(wǎng)絡應用具有吸引力。WL2803E系列提供了從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列提供了過熱保護（OTP）和電流限制功能，以確保芯片和電源系統(tǒng)在錯誤條件下的穩(wěn)定性，并采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，為標準無鉛且無鹵素產品。

主要特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：500mA

· PSRR：在1KHz時為65dB

· 壓差電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100μV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

應用領域：

· 液晶電視（LCD TV）

· 機頂盒（STB）

· 計算機、顯卡

· 網(wǎng)絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列適用于電源管理，具有極低壓差、低電流和高PSRR特性，確保靈活和準確的電壓輸出。緊湊環(huán)保，易于集成，適用于多種電子設備。提供穩(wěn)定電源輸出。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM6002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-323-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56201D24

WNM2021：單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產品描述

    WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進的溝槽技術和高密度單元設計使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設備負載/電源切換的理想選擇。此外，WNM2021作為無鉛產品，符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM2077ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-923。

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5304D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：UDFN-10(1x2.5)。

WD1502F：28V,2A降壓型（Step-Down）直流/直流（DC/DC）轉換器

    WD1502F是一款高效率、同步降壓型DC-DC轉換器。它可以在4.5V至28V的輸入電壓范圍內工作，并提供高達2A的連續(xù)輸出電流。內部同步功率開關可在不使用外部肖特基二極管的情況下提供高效率。WD1502F以650kHz的固定開關頻率工作，并采用脈沖寬度調制（PWM）。在輕負載電流時，它會進入脈沖跳變調制（PSM）操作，以在整個負載電流范圍內保持高效率和低輸出紋波。WD1502F具有短路保護、熱保護和輸入欠壓鎖定功能。它采用TSOT-23-6L封裝，為標準無鉛和無鹵素產品。

其主要特性包括：

· 寬范圍4.5V~28V的工作輸入電壓

· 典型的650kHz開關頻率

· 2A連續(xù)輸出電流

· 低至2μA的關機電流，60μA的靜態(tài)電流

· 內部5mS軟啟動

· 峰值效率>94%

· 150mΩ內部功率HSMOSFET開關

· 75mΩ內部同步LSMOSFET開關

· 逐周期過流保護

應用領域包括：

· 12V、24V分布式電源總線供電

· 工業(yè)應用

· 白色家電

· 消費類應用

     WD1502F適用于需要高效、緊湊和可靠電源轉換的多種應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WPM3022-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM2077

ESD9N5BM-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56201D24

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管，它具有一系列出色的特性，使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護和更換的頻率。

    此外，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色，如某些電子設備中的電源管理部分。

    值得注意的是，RB521S30是無鉛器件，符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球對環(huán)保意識的日益增強，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求。

    總的來說，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性，成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設備制造商還是電路設計工程師，都能從中受益。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56201D24