中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-17

     ESD9X5VL是一款單向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),為可能遭受靜電放電(ESD)的敏感電子元件提供極高水平的保護(hù)。它被設(shè)計(jì)用于替代消費(fèi)設(shè)備中的多層變阻器(MLV),適用于手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦、機(jī)頂盒、液晶電視等設(shè)備。ESD9X5VL結(jié)合了一對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受8/20μs脈沖的峰值電流高達(dá)4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛、無(wú)鹵素。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)為每條線(xiàn)路提供瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

· IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=1.2pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD9X5VL是保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電損害的瞬態(tài)電壓抑制器。響應(yīng)迅速,避免噪聲和干擾,高可靠且適用于便攜式設(shè)備。詳情查閱手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D

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WAS4729QB:低導(dǎo)通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開(kāi)關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開(kāi)關(guān),具有負(fù)擺幅音頻功能,其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開(kāi)關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設(shè)計(jì)為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時(shí),也能小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動(dòng)手機(jī)應(yīng)用,因?yàn)樗试S直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時(shí)極大限度地減少電池消耗。換句話(huà)說(shuō),在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓:2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻:0.8?(在3.6V下)

高關(guān)斷隔離度:-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz

軌到軌信號(hào)范圍

先斷后通開(kāi)關(guān)

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

電源至GND:±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機(jī)頂盒

音頻和視頻信號(hào)路由

     WAS4729QB是高性能模擬開(kāi)關(guān),專(zhuān)為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì),適合音頻和視頻信號(hào)路由,性能優(yōu)越可靠。詳情請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾WS742904WAS7227Q-10/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:WQFN-10(1.4x1.8)。

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ESD5301N:低電容單線(xiàn)單向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述:

      ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過(guò)度應(yīng)力影響。

      包含一對(duì)低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。

      采用DFN1006-2L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

 1、截止電壓:5V

 2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線(xiàn)路瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

 3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)

 4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)

 5、低電容:CJ=0.4pFtyp.

 6、低漏電流:IR<1nAtyp.

 7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)

 8、固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

 1、USB2.0和USB3.0

 2、HDMI1.3和HDMI1.4

 3、SATA和eSATA

 4、DVI

 5、IEEE1394

 6、PCIExpress

 7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦

安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或技術(shù)支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。

WSB5546N-肖特基勢(shì)壘二極管

特性:

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無(wú)鉛和無(wú)鹵素:WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,不含鉛和鹵素。

· 快速開(kāi)關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用:

· 電源管理

· 信號(hào)處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無(wú)鉛無(wú)鹵素環(huán)保特性的肖特基勢(shì)壘二極管。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢(shì)壘二極管,具有一些明顯的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。肖特基勢(shì)壘二極管是一種特殊的二極管類(lèi)型,它結(jié)合了肖特基二極管和勢(shì)壘二極管的優(yōu)點(diǎn)。肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)能力和低正向電壓降,而勢(shì)壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,WSB5546N結(jié)合了這些特點(diǎn),提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS4665D-8/TR 功率電子開(kāi)關(guān) 封裝:WDFN-8(2x2)。

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WNM2021:?jiǎn)蜰溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計(jì)使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無(wú)鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS74199B-6/TR 電流感應(yīng)放大器 封裝:SOT-363。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WMM7027ABHN0-4/TR

RB521S30-2/TR 肖特基二極管 封裝:SOD-523。中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D

    WD3168:5V/300mA開(kāi)關(guān)電容電壓轉(zhuǎn)換器,它能夠從一個(gè)非穩(wěn)壓輸入電壓中產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩(wěn)壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當(dāng)負(fù)載電流在典型條件下低于4mA時(shí),WD3168會(huì)進(jìn)入跳模模式,此時(shí)其靜態(tài)電流會(huì)降低到170uA。只需3個(gè)外部電容器即可產(chǎn)生輸出電壓,從而節(jié)省PCB空間。

    此外,其軟啟動(dòng)功能在開(kāi)機(jī)和電源瞬態(tài)狀態(tài)下會(huì)限制涌入電流。WD3168內(nèi)置了電流限制保護(hù)功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應(yīng)用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。

   其主要特性包括:

1、 輸出電流為300mA

2、寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V

3、固定輸出電壓為5.0V

4、雙倍電荷泵

5、較小外部元件:無(wú)需電感器

6、高頻操作:1.7MHz

7、自動(dòng)軟啟動(dòng)限制涌入電流

8、低紋波和EMI

9、過(guò)熱和過(guò)流保護(hù)

10、無(wú)負(fù)載條件下典型靜態(tài)電流為170uA(跳模模式)

   其應(yīng)用領(lǐng)域包括:

1、3V至5V的升壓轉(zhuǎn)換

2、USBOn-The-Go或HDMI5V供電

3、從較低軌道提供的本地5V供電

4、電池備份系統(tǒng)

5、手持便攜式設(shè)備

    WD3168是一種效率高、可靠的電源IC,適用于各種需要5V穩(wěn)定輸出的應(yīng)用場(chǎng)景。如需更詳細(xì)的信息或產(chǎn)品規(guī)格書(shū)請(qǐng)聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WD1071D