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ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據手冊或聯(lián)系我們。 WAS4766C-9/TR 模擬開關 封裝：WLCSP-9L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56241D12

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM1485WL2803E12-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝：SOT-23-5L。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設備和應變計放大器在其工作溫度范圍內幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側和低側感測都變得容易。

應用領域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據手冊或聯(lián)系我們。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩(wěn)壓器，具有極低的壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）等特點。在500mA的負載電流下，其壓降只有130mV（典型值）。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性：

· 輸入電壓范圍：2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V，步長為0.1V

· 輸出電流：500mAPSRR（電源抑制比）：在1KHz時為65dB

· 壓降電壓：在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲：100uV

· 靜態(tài)電流：典型值為150μA

此外，WL2803E系列還具備熱關斷（OTP）和電流限制功能，以確保在異常條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性。同時，采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用：

· LCD電視

· 機頂盒（STB）

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現(xiàn)代電子設備提供穩(wěn)定電源，具有極

低壓降、低靜態(tài)電流和高電源抑制比，有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求，適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環(huán)保設計使其易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據手冊或聯(lián)系我們。 WPM3022-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據手冊或聯(lián)系我們。 WPM2341-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-23。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2341

ESD5302N-3/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56241D12

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到低速數(shù)據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5451X可提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。

特點：

· 反向截止電壓：±5V

· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 電容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流：IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設備

· 網絡通信設備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器，保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力影響。適用于手機、平板、筆記本等便攜式設備，雙向保護，應對極端電氣環(huán)境。低漏電流、低鉗位電壓，不影響設備正常工作。固態(tài)硅技術，穩(wěn)定可靠。各方面保護現(xiàn)代電子設備，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56241D12