中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

來源: 發(fā)布時間:2024-04-26

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件

應用:低電流整流

介紹:

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護和更換的頻率。

    此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是無鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標準。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強,無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時,也符合了環(huán)保要求。

    總的來說,RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計工程師,都能從中受益。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-553。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

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ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過應力影響而設(shè)計。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性:

· 截止電壓:±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護:±30kV(接觸放電)

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護:5.5A(8/20μs)

· 典型電容:CJ=27pF

· 極低泄漏電流:IR=0.1nA

· 低鉗位電壓:在IPP=16A(TLP)時,VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù):確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用:

· 計算機及其外設(shè):如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設(shè)備,ES9DN12BA都能提供強大的保護,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD9105WWAS4642Q-24/TR 模擬開關(guān)/多路復用器 封裝:QFN2534-24L。

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    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關(guān),專為總線切換或音頻切換應用設(shè)計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應用中,無需額外的設(shè)備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導通電阻:在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時為400MHz

· 斷開隔離度:在10MHz時為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護:HBM為±8000V,MM為±600V

應用領(lǐng)域:

· 手機

· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉(zhuǎn)換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達93%的效率

超過1A(小值)的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動


應用領(lǐng)域:

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦(PADs)

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器,1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景,如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性,是電源管理的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOT-23。

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    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管,采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2030為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無鉛設(shè)計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2083

WS4508E-5/TR 電池管理 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標準產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點與優(yōu)勢:

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時,壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時,PSRR高達70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數(shù)碼相機

· 藍牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無論是音頻播放、通信還是無線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A