規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流。其中，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴(kuò)展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術(shù)特性：偏移電壓只有3μV，漂移為0.008μV/°C，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度、位置和壓力傳感器、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易。

應(yīng)用領(lǐng)域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應(yīng)變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度、壓力、電流感測等多種應(yīng)用，為工程師提供高精度測量解決方案。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D

    ESD5311X是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它特別用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）引起的過應(yīng)力影響。ESD5311X包含一個極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5311X可提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，能承受高達(dá)4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封裝，為標(biāo)準(zhǔn)無鉛且無鹵素產(chǎn)品。

主要特性：

截止電壓：5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：4A（8/20μs）

極低電容：CJ=0.25pF（典型值）

極低漏電流：IR<1nA（典型值）

低鉗位電壓：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便攜式電子設(shè)備

筆記本電腦

    ESD5311X是一款專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器，可承受高達(dá)±20kV的靜電放電和4A的峰值脈沖電流，保護(hù)電子組件免受損害。適用于USB、HDMI、SATA等接口，確保數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆€(wěn)定性。緊湊、環(huán)保，廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備和筆記本電腦。如需更多信息，請查閱手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾ESD56181W18ESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-23。

RB521C30：肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA

產(chǎn)品特性：

     100mA平均整流正向電流：RB521C30具有出色的電流處理能力，能夠處理高達(dá)100mA的平均整流正向電流，使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓：肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點，這意味著在正向偏置條件下，它需要的電壓較低，從而降低了功耗。

   低漏電流：RB521C30的漏電流非常低，這有助于在關(guān)閉或待機(jī)狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝：這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝，使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用，如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域：

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中，它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號，這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性，它特別適用于需要高效能和低功耗的場合，如電池供電的設(shè)備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外，其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

  WPM2015xx是一款P溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計，具有出色的RDS(ON)（導(dǎo)通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應(yīng)用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機(jī)控制和高速開關(guān)等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導(dǎo)電電阻，這有助于在電子設(shè)備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用，這些應(yīng)用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設(shè)計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應(yīng)用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應(yīng)用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機(jī)等設(shè)備的驅(qū)動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機(jī)等設(shè)備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 WD1035DH-8/TR DC-DC電源芯片 封裝：DFN-8-EP(2x2)。

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54211N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。中文資料WILLSEMI韋爾WD10722D

WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝：FBP1608-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D

WNM6001：單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述：

     WNM6001是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的槽型技術(shù)和設(shè)計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性：

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻，適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁閥、電機(jī)、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進(jìn)槽型技術(shù)的N溝道MOSFET，專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外，WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機(jī)，或是為LED供電，WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2831D