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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-02

WPM3401:?jiǎn)蜳溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于小化導(dǎo)通電阻。這些器件特別適合低電壓應(yīng)用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。

其主要特性包括:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度的單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設(shè)備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專(zhuān)為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WS4508E-5/TR 電池管理 封裝:SOT-23-5L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56181W20

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    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲(DPDT)CMOS模擬開(kāi)關(guān),可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專(zhuān)為在手持設(shè)備和消費(fèi)電子產(chǎn)品中切換高速USB2.0信號(hào)而設(shè)計(jì),如手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和帶有集線(xiàn)器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離,并與各種標(biāo)準(zhǔn)兼容,如高速USB2.0(480Mbps)。每個(gè)開(kāi)關(guān)都是雙向的,對(duì)高速信號(hào)的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號(hào)(480Mbps)并保持信號(hào)完整性。

特性:

D+/D-上的特殊電路設(shè)計(jì),使設(shè)備能夠承受VBUS短路到D+或D-,無(wú)論USB設(shè)備是關(guān)閉還是開(kāi)啟。

SEL/OE引腳具有過(guò)壓保護(hù),允許電壓高于VCC,高達(dá)7.0V存在于引腳上,而不會(huì)損壞或中斷部件的操作,無(wú)論工作電壓如何。

還具有智能電路,用于小化VCC泄漏電流,即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話(huà)說(shuō),在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外設(shè)備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應(yīng)用:

· 手機(jī)

· MID(移動(dòng)設(shè)備)

· 路由器

· 其他電子設(shè)備

    WAS7227Q是專(zhuān)為高速USB2.0設(shè)計(jì)的穩(wěn)定、高效CMOS開(kāi)關(guān),適用于手持和消費(fèi)電子產(chǎn)品,確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨(dú)特電路和過(guò)壓保護(hù)增強(qiáng)其可靠性,環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請(qǐng)查數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56181W12WS72551EA-5/TR 運(yùn)算放大器 封裝:SOT-23-5L。

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WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器

產(chǎn)品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負(fù)載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結(jié)構(gòu),WL2803E在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的靜態(tài)電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費(fèi)者和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長(zhǎng)為0.1V。WL2803E系列還提供了過(guò)熱保護(hù)(OTP)和限流功能,以確保在錯(cuò)誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并使用微調(diào)技術(shù)保證輸出電壓精度在±2%以?xún)?nèi)。

    封裝與環(huán)保信息:WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝,并符合無(wú)鉛和無(wú)鹵素環(huán)保要求。

產(chǎn)品特性

輸入電壓:2.5V~5.5V

輸出電壓:1.2V~3.3V

輸出電流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

壓差電壓:130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲:100uV

靜態(tài)電流:150μA(典型值)

應(yīng)用領(lǐng)域

LCD電視

機(jī)頂盒(STB)

計(jì)算機(jī)和圖形卡

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

其他便攜式電子設(shè)備  

      WL2803E是一款高性能LDO,壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,輸出電壓準(zhǔn)確穩(wěn)定。具備過(guò)熱保護(hù)和限流功能,增強(qiáng)可靠性。您如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

    ESD5431Z-2/TR:電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護(hù)神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專(zhuān)為保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計(jì)。其獨(dú)特的雙向保護(hù)機(jī)制,確保在數(shù)據(jù)線(xiàn)和控制線(xiàn)受到過(guò)應(yīng)力時(shí),能夠迅速抑制電壓波動(dòng),保護(hù)敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護(hù)能力,根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它能承受高達(dá)±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護(hù)電路,能夠承受高達(dá)40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計(jì)使得集成更為便捷,同時(shí)無(wú)鉛和不含鹵素的標(biāo)準(zhǔn)也符合環(huán)保要求。

    無(wú)論是手機(jī)、計(jì)算機(jī)還是微處理器,它都能為這些設(shè)備提供堅(jiān)實(shí)的電壓保護(hù),確保它們?cè)诟鞣N惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運(yùn)行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費(fèi)電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD,并愿意提供樣品供您測(cè)試。如需更多信息或支持,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESD5471Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN0603-2L。

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ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性:

· 截止電壓:±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù):±30kV(接觸放電)

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 典型電容:CJ=27pF

· 極低泄漏電流:IR=0.1nA

· 低鉗位電壓:在IPP=16A(TLP)時(shí),VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù):確保器件性能穩(wěn)定和長(zhǎng)壽命。

應(yīng)用:

· 計(jì)算機(jī)及其外設(shè):如鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機(jī)

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,專(zhuān)為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無(wú)論是計(jì)算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備,ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù),確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DWN0603-2L。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾WSB5503W

WNM6002-3/TR 場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323-3。代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56181W20

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以在低柵極電荷下提供出色的RDS(ON)。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無(wú)鉛且無(wú)鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,專(zhuān)為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻(RDS(ON)),從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時(shí),低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào),進(jìn)一步提高了開(kāi)關(guān)速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,其中高效率的電源開(kāi)關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,它還可以用于各種充電電路,如電池充電器和太陽(yáng)能充電器,以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,WNM2020不僅具有出色的電性能,還符合環(huán)保要求,不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì)。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場(chǎng)中具有的適用性??傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾ESD56181W20