WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET
產(chǎn)品描述:
WNMD2171是一款雙N溝道增強型MOSFET場效應晶體管。這款MOSFET的特殊設計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進的溝槽技術和設計,提供了出色的導通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護電路而設計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標準產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· 鋰離子電池保護電路
WNMD2171是一款采用先進技術的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護電路。其內(nèi)部連接的漏極設計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標準。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2021-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-323。中文資料WILLSEMI韋爾WS72544
ESD5301N:低電容單線單向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5301N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別用于保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應力影響。
包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。
采用DFN1006-2L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
1、截止電壓:5V
2、根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線路瞬態(tài)保護:±20kV(接觸和空氣放電)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低電容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏電流:IR<1nAtyp.
7、低鉗位電壓:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固態(tài)硅技術
應用領域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便攜式電子產(chǎn)品和筆記本電腦
安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5301N這款TVS,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持,請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD02127CWPM2341A-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23。
WPM3401:單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。
其主要特性包括:
· 溝槽技術
· 超高密度的單元設計
· 優(yōu)異的導通電阻,適用于更高的直流電流
· 小型SOT-23-3L封裝
應用領域包括:
· 筆記本電腦的電源管理
· 便攜式設備
· 電池供電系統(tǒng)
· DC/DC轉換器
· 負載開關
WPM3401是一種高性能的功率MOSFET,專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。
WS3202E:過壓和過流保護IC
產(chǎn)品描述:
WS3202E是一款集過壓保護(OVP)和過流保護(OCP)功能于一體的保護設備。當輸入電壓或輸入電流超過閾值時,該設備會關閉內(nèi)部MOSFET,斷開IN到OUT的連接,以保護負載。此外,過溫保護(OTP)功能會監(jiān)控芯片溫度,確保設備安全。封裝形式:SOT-23-6L
產(chǎn)品特性:
· 高壓技術
· 輸入電壓:25V
· 輸出上電時間:8ms(典型值)
· OVP閾值:6.1V(典型值)
· OVP響應時間:<1us
· OCP閾值:2A(最小值)
· 輸出放電功能
應用領域:
· GPS設備
· PMP(便攜式媒體播放器)
· MID(移動互聯(lián)網(wǎng)設備)
· PAD(平板電腦)
· 數(shù)碼相機
· 數(shù)字攝像機
WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC,為電子設備提供了雙重安全保障。其高壓技術、快速響應時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應用場合中表現(xiàn)出色,特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設備,如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝,方便集成到各種電路板中,同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2046B-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。
ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器
產(chǎn)品描述:
ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(tài)(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。
產(chǎn)品特性:
反向截止電壓:±5V
根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)標準,每條線路的瞬態(tài)保護:±30kV(接觸和空氣放電)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
電容:CJ=9pF(典型值)
低漏電流
低鉗位電壓:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固態(tài)硅技術
應用領域:
手機
平板電腦
筆記本電腦
其他便攜式設備
網(wǎng)絡通信設備
ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網(wǎng)絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術,既高性能又緊湊,方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5546N-2/TR 肖特基二極管 封裝:DFN1006-2L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNM01N10
WL2817DA33-8/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:DFN1612-8。中文資料WILLSEMI韋爾WS72544
WNM2016A:N溝道增強型MOSFET場效應晶體管
產(chǎn)品描述:
WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產(chǎn)品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產(chǎn)品特性:
· 溝槽技術
· 超高密度單元
· 設計出色的ON電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域:
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器
· 電路便攜式設備的負載/電源開關
WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為現(xiàn)代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能,包括低RDS(ON)和低柵極電荷,從而實現(xiàn)高效能量轉換和減少熱量損失。此外,極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇,因為它既能夠提供強大的性能,又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路,還是便攜式設備的負載/電源開關,WNM2016A都是一個出色的選擇,能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格,請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WS72544