代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

來源: 發(fā)布時間:2024-05-12

    ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電(ESD)引起的過應(yīng)力而設(shè)計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)陣列。它結(jié)合了四對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管,旨在提供優(yōu)異的ESD保護。

特性:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護:±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護:40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護:4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=14V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術(shù),結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管,提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口,是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保,易于集成。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝:TSOT-23-6L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

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    ESD5431Z-2/TR:電子設(shè)備的瞬態(tài)電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器,專為保護電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設(shè)計。其獨特的雙向保護機制,確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應(yīng)力時,能夠迅速抑制電壓波動,保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力,根據(jù)IEC61000-4-2標準,它能承受高達±30kV的接觸放電,確保在極端情況下仍能有效保護電路,能夠承受高達40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設(shè)計使得集成更為便捷,同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環(huán)保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器,它都能為這些設(shè)備提供堅實的電壓保護,確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應(yīng)用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領(lǐng)域等。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD,并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持,請隨時聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾SPD4200BESD56131W-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:SOD-323F。

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WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小電流限制為1A。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負載電流下,轉(zhuǎn)換器進入跳過模式,以在絕大部分的負載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動電路可以小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性:

寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達93%的效率

超過1A(小值)的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動


應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機

平板電腦

便攜式游戲機

平板電腦(PADs)

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器,1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景,如智能手機、平板電腦和游戲機等。其軟啟動電路和電流限制功能增強了安全性和可靠性,是電源管理的理想選擇。如需更多信息,請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WAS4729QB:低導(dǎo)通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關(guān),具有負擺幅音頻功能

產(chǎn)品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關(guān),具有負擺幅音頻功能,其典型導(dǎo)通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開關(guān)在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內(nèi)工作,并設(shè)計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時,也能小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應(yīng)用,因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時極大限度地減少電池消耗。換句話說,在實際應(yīng)用中,無需額外的設(shè)備來將控制電平調(diào)整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性

供電電壓:2.3V~5.5V

極低導(dǎo)通電阻:0.8?(在3.6V下)

高關(guān)斷隔離度:-81dB@1KHz

串?dāng)_抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關(guān)

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

電源至GND:±5KV

應(yīng)用領(lǐng)域

手機、PDA、數(shù)碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關(guān),專為移動設(shè)備設(shè)計,適合音頻和視頻信號路由,性能優(yōu)越可靠。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9X5VL-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD) 封裝:FBP-02C。

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RB521C30:肖特基勢壘二極管

· 重復(fù)峰值反向電壓 VRM 30 V

· 直流反向電壓 VR 30 V

· 平均整流正向電流 IO 100 mA


產(chǎn)品特性:

     100mA平均整流正向電流:RB521C30具有出色的電流處理能力,能夠處理高達100mA的平均整流正向電流,使其在需要穩(wěn)定電流處理的電路中表現(xiàn)出色。

    低正向電壓:肖特基勢壘二極管以其低正向電壓為特點,這意味著在正向偏置條件下,它需要的電壓較低,從而降低了功耗。

   低漏電流:RB521C30的漏電流非常低,這有助于在關(guān)閉或待機狀態(tài)下減少不必要的功耗。

   小型SOD-923封裝:這款二極管采用緊湊的SOD-923封裝,使其適合在空間受限的應(yīng)用中使用,如便攜式設(shè)備和小型電路板。

應(yīng)用領(lǐng)域:

     RB521C30肖特基勢壘二極管特別適合用于低電流整流應(yīng)用。在電路中,它能夠?qū)⒔涣餍盘栟D(zhuǎn)換為直流信號,這對于許多電子設(shè)備來說都是至關(guān)重要的。由于其低正向電壓和低漏電流的特性,它特別適用于需要高效能和低功耗的場合,如電池供電的設(shè)備或需要長時間運行的系統(tǒng)。此外,其緊湊的封裝形式也使得它成為空間受限應(yīng)用的理想選擇。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4518D-6/TR 電池管理 封裝:WDFN-6-EP(2x2)。中文資料WILLSEMI韋爾ESD73011N

WL2815D33-4/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:XDFN-4-EP(1x1)。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05

WNM6001:單N溝道、60V、0.50A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNM6001是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進的槽型技術(shù)和設(shè)計,以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標準產(chǎn)品WNM6001為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產(chǎn)品特性:

· 槽型技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的ON電阻,適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓


應(yīng)用領(lǐng)域:

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅(qū)動器

· DC-DC轉(zhuǎn)換器

· 電路電源開關(guān)

· 負載開關(guān)充電

       WNM6001是一款采用先進槽型技術(shù)的N溝道MOSFET,專為高效能應(yīng)用而設(shè)計。其出色的RDS(ON)和低柵極電荷使其成為DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路的理想選擇。此外,WNM6001的超高密度單元設(shè)計和極低的閾值電壓保證了在高直流電流下的高效運行。這款器件的小型SOT-23封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。無論是驅(qū)動繼電器、電磁閥還是電機,或是為LED供電,WNM6001都能提供穩(wěn)定、高效的性能。如需更詳細的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56281N05