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氮化鋁陶瓷是一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料,具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性、可靠的電絕緣性、低的介電常數(shù)和介電損耗、無(wú)毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,被認(rèn)為是新一代高集程度半導(dǎo)體基片和電子器件封裝的理想材料,受到了國(guó)內(nèi)外研究者的較廣重視。理論上,氮化鋁的熱導(dǎo)率接近于氧化鈹?shù)臒釋?dǎo)率,但由于氧化鈹有劇毒,在工業(yè)生產(chǎn)中逐漸被停止使用。與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良,非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料,在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。另外,氮化鋁還耐高溫,耐腐蝕,不為多種熔融金屬和融鹽所浸潤(rùn),因此,可用作高級(jí)耐火材料和坩堝材料,也可用作防腐蝕涂層,如腐蝕性物質(zhì)的容器和處理器的里襯等。氮化鋁粉末還可作為添加劑加入各種金屬或非金屬中來(lái)改善這些材料的性能。高純度的氮化鋁陶瓷呈透明狀,可用作電子光學(xué)器件。氮化鋁還具有優(yōu)良的耐磨耗性能,可用作研磨材料和耐磨損零件。提高氮化鋁粉末的純度,理想的氮化鋁粉料應(yīng)含適量的氧。大連球形氮化硼商家
陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關(guān)鍵參數(shù)之一。本文對(duì)陶瓷基板在反復(fù)周期性加熱過(guò)程中發(fā)生的變形情況進(jìn)行了研究。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),陶瓷覆銅板在周期性加熱過(guò)程中,存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現(xiàn)的棘輪效應(yīng)和包辛格效應(yīng)。結(jié)合ANSYS有限元計(jì)算結(jié)果,可以推斷,陶瓷線路板的失效開(kāi)裂與金屬層的塑性變形或位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)直接相關(guān)。另外,活性金屬釬焊陶瓷基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小,芯片功率密度急劇增加,對(duì)芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導(dǎo)體模塊高功率、高散熱的要求,陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù),是功率電子器件中關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。陶瓷基板由金屬線路層和陶瓷層組成,由于陶瓷和金屬之間存在較大的熱膨脹差異,使用過(guò)程中產(chǎn)生的熱應(yīng)力會(huì)造成基板開(kāi)裂失效,因此,對(duì)陶瓷基板耐熱循環(huán)可靠性研究具有重要意義。紹興超細(xì)氮化鋁銷售公司提高氮化鋁陶瓷熱導(dǎo)率的途徑:加入適當(dāng)?shù)臒Y(jié)助劑,可促進(jìn)氮化鋁陶瓷致密化。
AlN陶瓷基片的成型:流延成型制備氮化鋁陶瓷基片的主要工藝,將氮化鋁粉料、燒結(jié)助劑、粘結(jié)劑、溶劑混合均勻制成漿料,通過(guò)流延制成坯片,采用組合模沖成標(biāo)準(zhǔn)片,然后用程控沖床沖成通孔,用絲網(wǎng)印刷印制金屬圖形,將每一個(gè)具有功能圖形的生坯片疊加,層壓成多層陶瓷生坯片,在氮?dú)庵屑s700℃排除粘結(jié)劑,然后在1800℃氮?dú)庵羞M(jìn)行共燒,電鍍后即形成多層氮化鋁陶瓷。流延成型分為有機(jī)流延成型和水基流延成型兩種。流延成型法在AlN陶瓷基片方面的應(yīng)用具有極強(qiáng)的優(yōu)勢(shì),如設(shè)備要求低,可連續(xù)生產(chǎn)、生產(chǎn)效率高、自動(dòng)化程度高,其生產(chǎn)成本低廉,非常適合現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)。注射成型:首先將AlN粉體與有機(jī)粘結(jié)劑按一定比例混合,經(jīng)過(guò)造粒得到性能穩(wěn)定的喂料,然后在注射成型機(jī)上成型素坯,再經(jīng)過(guò)脫脂、燒結(jié)很終獲得AlN陶瓷基片。
粉末注射成型是將現(xiàn)代塑料注射成型技術(shù)引入粉末冶金領(lǐng)域而形成的一門(mén)新型近終形成型技術(shù)。據(jù)中國(guó)粉體網(wǎng)編輯了解,該技術(shù)的很大特點(diǎn)是可以直接制備出復(fù)雜形狀的零件,而且由于是流態(tài)充模,基本上沒(méi)有模壁摩擦,成型坯的密度均勻,尺寸精度高。因此,國(guó)際上普遍認(rèn)為該技術(shù)的發(fā)展將會(huì)導(dǎo)致零部件成型與加工技術(shù)的一場(chǎng)**,被譽(yù)為“21世紀(jì)的零部件成型技術(shù)”。粘結(jié)劑是注射成型技術(shù)的重點(diǎn),首先,粘結(jié)劑是粉末的載體,它在很大程度上決定喂料注射成型的流變性能和注射性能;其次,一種良好的粘結(jié)劑還必須具有維形作用,即保證樣品從注射完成到脫脂結(jié)束都能維持形狀而不發(fā)生變化。為了同時(shí)滿足上述要求,粘結(jié)劑一般由多種有機(jī)物組元組成。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu),具有密度低、強(qiáng)度高、耐熱性好、導(dǎo)熱系數(shù)高、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。
氮化鋁(AlN)陶瓷作為一種新型的電子器件封裝基板材料,具有熱導(dǎo)率高、強(qiáng)度高、熱膨脹系數(shù)低、介電損耗小、耐高溫及化學(xué)腐蝕,絕緣性好,而且無(wú)毒環(huán)保等優(yōu)良性能,是被國(guó)內(nèi)外一致看好很具有發(fā)展前景的陶瓷材料之一。作為一種非常適合用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料,氮化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率一直是行業(yè)內(nèi)關(guān)注研究的難題,目前商用氮化鋁基板的熱導(dǎo)率距離其理論熱導(dǎo)率還有很大的差距,因此,在降低氮化鋁陶瓷燒結(jié)溫度的同時(shí)研制出更高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷基板,對(duì)于電子器件的快速發(fā)展有著重大意義。要想制備出熱導(dǎo)率更高的氮化鋁基板,就要從其導(dǎo)熱原理出發(fā),探究究竟哪些因素影響了熱導(dǎo)率。陶瓷注射成型技術(shù)在制備復(fù)雜小部件方面有著其不可比擬的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。臺(tái)州微米氧化鋁生產(chǎn)商
結(jié)晶氮化鋁溶于水、無(wú)水乙醇、,微溶于鹽酸,其水溶液呈酸性。大連球形氮化硼商家
在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中,Si3N4陶瓷抗彎強(qiáng)度很高,耐磨性好,是綜合機(jī)械性能很好的陶瓷材料,同時(shí)其熱膨脹系數(shù)很小,因而被很多人認(rèn)為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復(fù)雜,成本較高,熱導(dǎo)率偏低,主要適合應(yīng)用于強(qiáng)度要求較高但散熱要求不高的領(lǐng)域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常,尤其是在電子封裝對(duì)熱導(dǎo)率的要求方面,氮化鋁優(yōu)勢(shì)巨大。不足的是,較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價(jià)格很高,這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問(wèn)題。但是隨著氮化鋁制備技術(shù)的不斷發(fā)展,其成本必定會(huì)有所降低,氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領(lǐng)域大面積應(yīng)用指日可待。大連球形氮化硼商家