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氮化鋁的應(yīng)用:應(yīng)用于陶瓷及耐火材料,氮化鋁可應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié),制備出來(lái)的氮化鋁陶瓷,不但機(jī)械性能好,抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,硬度高,還耐高溫耐腐蝕。利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性,可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。此外,純凈的AlN陶瓷為無(wú)色透明晶體,具有優(yōu)異的光學(xué)性能,可以用作透明陶瓷制造電子光學(xué)器件裝備的高溫紅外窗口和整流罩的耐熱涂層。復(fù)合材料,環(huán)氧樹脂/AlN復(fù)合材料作為封裝材料,需要良好的導(dǎo)熱散熱能力,且這種要求愈發(fā)嚴(yán)苛。環(huán)氧樹脂作為一種有著很好的化學(xué)性能和力學(xué)穩(wěn)定性的高分子材料,它固化方便,收縮率低,但導(dǎo)熱能力不高。通過(guò)將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中,可有效提高材料的熱導(dǎo)率和強(qiáng)度。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性,氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。寧波導(dǎo)熱氮化鋁粉體廠家
納米氮化鋁粉體主要用途:制造高性能陶瓷器件:制造集成電路基板,電子器件,光學(xué)器件,散熱器,高溫紺塢。制備金屬基及高分子基復(fù)合材料:特別是在高溫密封膠粘劑和電子封裝材料中有極好的應(yīng)用前景。納米無(wú)機(jī)陶瓷車用潤(rùn)滑油及抗磨劑﹔納米陶瓷機(jī)油中的納米氮化鋁陶瓷粒子隨潤(rùn)滑油作用于發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部的摩擦副金屬表面,在高溫和極壓的作用下被,并牢固滲嵌到金屬表面凹痕和微孔中,修復(fù)受損表面,形成納米陶瓷保護(hù)膜。因?yàn)檫@層膜的隔離作用,從而極大的降低摩擦力,將運(yùn)動(dòng)機(jī)件間的摩擦降至近乎零,通過(guò)改善潤(rùn)滑,可降低摩擦系數(shù)70%以上,提高抗磨能力300%以上,降低磨損80%以上,可延長(zhǎng)機(jī)械零件壽命3倍以上,減少停工,降低維修成本,延長(zhǎng)大修期一倍以上,節(jié)能5%~30%,提高設(shè)備輸出功率15%-40%,其添加量為萬(wàn)分之二。上海片狀氮化鋁粉體商家陶瓷注射成型粘結(jié)劑須具備以下條件:流動(dòng)特性好,注射成型黏度適中,且黏度隨溫度不能波動(dòng)太大。
AIN的作用:關(guān)于密集六角結(jié)構(gòu)的A1N(a=0.3104,C=0.4965nm)與硅鐵母相的析出方位關(guān)系。在2000個(gè)約1微米左右的針狀A(yù)1N中,對(duì)用電子射線可明確分析的單晶中122個(gè)、冷軋后155個(gè)試樣進(jìn)行了調(diào)查。結(jié)果是,觀察到大半的針狀A(yù)IN似乎沿{100}Fe及{120}Fe為慣析面析出,但實(shí)際上,A1N與硅鐵母相之間具有一定關(guān)系。關(guān)于晶界通過(guò)一個(gè)析出物時(shí),其對(duì)移動(dòng)的抑制力,如按Zener公式,一直用取決于形狀、尺寸、體積比等因子的機(jī)械抑制力IR來(lái)進(jìn)行討論。從母相晶體與AIN之問(wèn)的特殊析出位向關(guān)系出發(fā),產(chǎn)生了新的抑制效果,在此,稱之為選擇抑制力。AIN對(duì)母相晶體之所以具有特定的析出位向關(guān)系,是因?yàn)槠湮龀龇轿环€(wěn)定的原因。
氮化鋁陶瓷的流延成型:粘結(jié)劑和增塑劑,在流延漿料中加入粘結(jié)劑與增塑劑主要是為了提高薄片的強(qiáng)度和改善薄片的韌性及延展性。流延薄片在室溫下自然干燥時(shí),溶劑不斷揮發(fā),粘結(jié)劑則能自身固化成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)防止薄片中的顆粒沉降,并且賦予薄片一定的強(qiáng)度。增塑劑的引入保證了薄片的柔韌性,同時(shí)降低了粘結(jié)劑在室溫和較低溫度時(shí)的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。流延成型的工藝特點(diǎn):優(yōu)點(diǎn):設(shè)備不太復(fù)雜,工藝穩(wěn)定,可連續(xù)生產(chǎn),效率高,自動(dòng)化程度高,坯膜性能均一且易于控制, 適于制造各種超薄形陶瓷器件,氧化鋁陶瓷基片等。缺點(diǎn):坯體密度小,收縮性高。AIN陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中較廣應(yīng)用。
熱壓燒結(jié):即在一定壓力下燒結(jié)陶瓷,可以使加熱燒結(jié)和加壓成型同時(shí)進(jìn)行。無(wú)壓燒結(jié):常壓燒結(jié)氮化鋁陶瓷一般溫度范圍為1600-2000℃,適當(dāng)升高燒結(jié)溫度和延長(zhǎng)保溫時(shí)間可以提高氮化鋁陶瓷的致密度。微波燒結(jié):微波燒結(jié)也是一種快速燒結(jié)法,利用微波與介質(zhì)的相互作用產(chǎn)生介電損耗而使坯體整體加熱的燒結(jié)方法。放電等離子燒結(jié):融合等離子活化、熱壓、電阻加熱等技術(shù),具有燒結(jié)速度快,晶粒尺寸均勻等特點(diǎn)。自蔓延燒結(jié):即在超高壓氮?dú)庀吕米月痈邷睾铣煞磻?yīng)直接制備AlN陶瓷致密材料。但由于高溫燃燒反應(yīng)下原料中的Al易熔融而阻礙氮?dú)庀蛎鲀?nèi)部滲透, 難以得到致密度高的AlN陶瓷。以上5中燒結(jié)工藝中,熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。氮化鋁薄膜用于薄膜器件的介質(zhì)和耐磨、耐熱、散熱好的鍍層。上海片狀氮化鋁粉體商家
礦物酸通過(guò)侵襲粒狀物質(zhì)的界限使氮化鋁慢慢溶解,而強(qiáng)堿則通過(guò)侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。寧波導(dǎo)熱氮化鋁粉體廠家
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價(jià)鍵化合物,晶格參數(shù)為a=3.114,c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色,通常為灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化鋁(AlN)具有度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性,不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強(qiáng)相,尤其是在近年來(lái)大火的陶瓷電子基板和封裝材料領(lǐng)域,其性能遠(yuǎn)超氧化鋁。與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良,非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料,在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。理論上AlN熱導(dǎo)率可達(dá)320W·m-1·K-1,但由于AlN中的雜質(zhì)和缺陷造成實(shí)際產(chǎn)品的熱導(dǎo)率還不到200W·m-1·K-1。這主要是由于晶體內(nèi)的結(jié)構(gòu)基元都不可能有完全嚴(yán)格的均勻分布,總是存在稀疏稠密的不同區(qū)域,所以載流聲子在傳播過(guò)程中,總會(huì)受到干擾和散射。寧波導(dǎo)熱氮化鋁粉體廠家
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