氮化鋁是一種綜合性能優(yōu)良的陶瓷材料,由于氮化鋁是共價化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小,熔點(diǎn)高,導(dǎo)致其難以燒結(jié),直到20世紀(jì)50年代,人們才成功制得氮化鋁陶瓷,并作為耐火材料應(yīng)用于純鐵、鋁以及鋁合金的熔煉。自20世紀(jì)70年代以來,隨著研究的不斷深入,氮化鋁的制備工藝日趨成熟,其應(yīng)用范圍也不斷擴(kuò)大。尤其是進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子整機(jī)和電子元器件正朝微型化、輕型化、集成化,以及高可靠性和大功率輸出等方向發(fā)展,越來越復(fù)雜的器件對基片和封裝材料的散熱提出了更高要求,進(jìn)一步促進(jìn)了氮化鋁產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。舟山電絕緣氮化鋁粉體品牌
高性能氮化鋁陶瓷取決于氮化鋁粉體的質(zhì)量,到目前為止,制備氮化鋁粉體有氧化鋁粉碳熱還原法、鋁粉直接氮化法、化學(xué)氣相沉積法、自蔓延高溫合成法等多種方法,各種方法都有其自身的優(yōu)缺點(diǎn)。綜合來看,氧化鋁粉碳熱還原法和鋁粉直接氮化法比較成熟,是目前制備高性能氮化鋁粉的主流技術(shù),已經(jīng)用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)。氮化鋁粉體制備的技術(shù)發(fā)展趨勢主要表現(xiàn)在兩個方面:一是進(jìn)一步提升氮化鋁粉體的性能,使之能夠制造出更高熱導(dǎo)率的氮化鋁陶瓷產(chǎn)品;二是進(jìn)一步提升氮化鋁粉體批次生產(chǎn)穩(wěn)定性,增大批生產(chǎn)量,降低生產(chǎn)成本。我國目前的高性能氮化鋁粉基本依賴進(jìn)口,不但價格高昂,而且隨時存在原材料斷供的風(fēng)險。因此,實(shí)現(xiàn)高性能氮化鋁粉制造技術(shù)的國產(chǎn)化,已成為當(dāng)務(wù)之急。金華微米氮化鋁粉體供應(yīng)商氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法。
目前AlN基片較常用的燒結(jié)工藝一般有5種,即熱壓燒結(jié)、無壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)(SPS)、微波燒結(jié)和自蔓延燒結(jié)。熱壓燒結(jié)是在加熱粉體的同時進(jìn)行加壓,利用通電產(chǎn)生的焦耳熱和加壓造成的塑性變形來促進(jìn)燒結(jié)過程的進(jìn)行。相對于無壓燒結(jié)來說,熱壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度要低得多,而且燒結(jié)體致密,氣孔率低,但其加熱、冷卻所需時間較長,且只能制備形狀不太復(fù)雜的樣品。熱壓燒結(jié)是目前制備高熱導(dǎo)率致密化AlN陶瓷的主要工藝。由于AlN具有很強(qiáng)的共價性,故其在常壓燒結(jié)時需要的燒結(jié)溫度很高。在常壓燒結(jié)條件下,添加了Y2O3的AlN粉能產(chǎn)生液相燒結(jié)的溫度為1600℃以上,且燒結(jié)溫度要受AlN粒度、添加劑種類及添加劑的含量等因素的影響。常壓燒結(jié)的燒結(jié)溫度一般為1600~2000℃,保溫時間為2h。
氮化鋁陶瓷的運(yùn)用:氮化鋁陶瓷基板:氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率高,膨脹系數(shù)低,強(qiáng)度高,耐高溫,耐化學(xué)腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷零件:氮化鋁 (AlN) 具有高導(dǎo)熱性、高耐磨性和耐腐蝕性,是半導(dǎo)體和醫(yī)療行業(yè)很理想的材料。典型應(yīng)用包括:加熱器、靜電卡盤、基座、夾環(huán)、蓋板和 MRI 設(shè)備。氮化鋁陶瓷使用須知:氮化鋁陶瓷在700°C的空氣中會發(fā)生表面氧化,即使在室溫下,也檢測到5-10nm的表面氧化層。這將有助于保護(hù)材料本體,但它也將降低材料表面的導(dǎo)熱率。在惰性氣氛中,該氧化層可在高達(dá)1350°C 的溫度下保護(hù)材料本體,當(dāng)在高于此溫度時本體將會發(fā)生大量氧化。氮化鋁陶瓷在高達(dá) 980°C 的氫氣和二氧化碳?xì)夥罩惺欠€(wěn)定的。氮化鋁陶瓷會與無機(jī)酸和強(qiáng)堿、水等液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并緩慢溶解,所有它不能直接浸泡在這類物質(zhì)中使用。但氮化鋁可以抵抗大多數(shù)熔鹽的侵蝕,包括氯化物和冰晶石。通過將導(dǎo)熱能力優(yōu)異的AlN納米顆粒添加到環(huán)氧樹脂中,可有效提高材料的熱導(dǎo)率和強(qiáng)度。
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價鍵化合物,晶格參數(shù)為a=3.114,c=4.986。純氮化鋁呈藍(lán)白色,通常為灰色或灰白色,是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。氮化鋁(AlN)具有度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性,不但用作結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié)助劑或增強(qiáng)相,尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領(lǐng)域,其性能遠(yuǎn)超氧化鋁。與其它幾種陶瓷材料相比較,氮化鋁陶瓷綜合性能優(yōu)良,非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料,在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。理論上AlN熱導(dǎo)率可達(dá)320W·m-1·K-1,但由于AlN中的雜質(zhì)和缺陷造成實(shí)際產(chǎn)品的熱導(dǎo)率還不到200W·m-1·K-1。這主要是由于晶體內(nèi)的結(jié)構(gòu)基元都不可能有完全嚴(yán)格的均勻分布,總是存在稀疏稠密的不同區(qū)域,所以載流聲子在傳播過程中,總會受到干擾和散射。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。金華微米氮化鋁粉體供應(yīng)商
氮化鋁應(yīng)用于陶瓷及耐火材料,氮化鋁可應(yīng)用于結(jié)構(gòu)陶瓷的燒結(jié),制備出來的氮化鋁陶瓷。舟山電絕緣氮化鋁粉體品牌
氮化鋁是氮和鋁的化合物,化學(xué)式為AIN,六方晶系。顏色淡藍(lán)或綠色。莫氏硬度5。理論密度3.26g/cm2。升華分解溫度2450C,導(dǎo)熱系數(shù)高(0.072cal/(cm·C))膨脹系數(shù)6.09×10~/C,抗熱震性能好,能耐2200~20℃的急冷急熱。AIN在800C可能被氧化,因而作耐火材料時需加注意,但在1300C左右具有較好的抗氧化性能。溫度更高,因氧化物保護(hù)層開裂破壞,氧化加速。AIN不易被液體銅、鋁、鉛潤濕。它與AI2O2非常相容,在1600C下可形成y一氧氮化鋁(y-AION)。y-AION即Sialon(塞?。?化學(xué)式3AIN·7ALO2。7-AION的機(jī)械性質(zhì)與AIN相近,而抗化學(xué)侵蝕性能比AIN更好,可制造AIN基耐火材料。”-AION抗熱震性優(yōu)于ALO3和MgO等氧化物耐火材料而其抗腐蝕性又優(yōu)于SiC和Si,N,等非氧化物耐火材料。AIN容易水解。介電常數(shù)8.5.電阻率2×10"Q-cm,是良好的電絕緣體。作為耐火材料領(lǐng)域的應(yīng)用,可用AIN質(zhì)堆塌拉制四、N族元素單晶,還可用AIN制磚砌筑金屬精煉爐內(nèi)襯,以及用AIN制造金屬熔池用的浸入式熱電偶套管。舟山電絕緣氮化鋁粉體品牌
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