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熱導(dǎo)率K在聲子傳熱中的關(guān)系式為:K=1/3cvλ;上式c為陶瓷體本身的熱容,v為聲子的平均運(yùn)動(dòng)速度,λ為聲子的平均自由程。材料本身的熱容(c)接近常數(shù),氮化鋁的熱容大是氮化鋁的熱導(dǎo)率高的原因之一,聲子速度(v)與晶體密度和彈性力學(xué)性質(zhì)有關(guān),也可視為常數(shù),所以,聲子的傳播距離(平均自由程),是影響很終宏觀上氮化鋁陶瓷的熱導(dǎo)率表現(xiàn)的關(guān)鍵。所以我們通過(guò)氮化鋁內(nèi)部聲子的熱傳導(dǎo)機(jī)理可知,要想熱導(dǎo)率高,就要使聲子的傳播更遠(yuǎn)(自由程大),也即減少傳播的阻力,這種阻力一般來(lái)自于聲子擴(kuò)散過(guò)程中的各種散射。燒結(jié)后的陶瓷內(nèi)部通常會(huì)有各種晶體缺陷、雜質(zhì)、氣孔以及引入的第二相,這些因素的作用使聲子發(fā)生散射,也就影響了很終的熱導(dǎo)率。通過(guò)不斷研究證實(shí),在眾多影響AlN陶瓷熱導(dǎo)率因素中,AlN陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)、氧雜質(zhì)含量尤為突出。在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中,很為明顯的是高的熱導(dǎo)率。導(dǎo)熱氮化鋁粉體銷(xiāo)售廠家
采用小粒徑氮化鋁粉:氮化鋁燒結(jié)過(guò)程的驅(qū)動(dòng)力為表面能,顆粒細(xì)小的AlN粉體能夠增強(qiáng)燒結(jié)活性,增加燒結(jié)推動(dòng)力從而加速燒結(jié)過(guò)程。研究證實(shí),當(dāng)?shù)X原始粉料的起始粒徑細(xì)小20倍后,陶瓷的燒結(jié)速率將增加147倍。燒結(jié)原料應(yīng)選擇粒徑小且分布均勻的氮化鋁粉,可防止二次再結(jié)晶,內(nèi)部的大顆粒易發(fā)生晶粒異常生長(zhǎng)而不利于致密化燒結(jié);若顆粒分布不均勻,在燒結(jié)過(guò)程中容易發(fā)生個(gè)別晶體異常長(zhǎng)大而影響燒結(jié)。此外,氮化鋁陶瓷的燒結(jié)機(jī)理有時(shí)也受原始粉末粒度的影響。微米級(jí)的氮化鋁粉體按體積擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行燒結(jié),而納米級(jí)的粉體則按晶界擴(kuò)散或者表面擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行燒結(jié)。但目前而言,細(xì)小均勻的氮化鋁粉體制備很困難,大多通過(guò)濕化學(xué)法結(jié)合碳熱還原法制備,不但燒結(jié)工藝復(fù)雜,而且耗能多多規(guī)模的推廣應(yīng)用仍舊有一定的限制。國(guó)內(nèi)在小粒徑高性能氮化鋁粉的供應(yīng)上,仍十分稀缺。上海微米氧化鋁銷(xiāo)售公司氮化鋁很高可穩(wěn)定到2200℃,室溫強(qiáng)度高,且強(qiáng)度隨溫度的升高下降較慢。
氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉(zhuǎn)化或其它表面技術(shù)制備的氮化鋁覆蓋層 。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景。由于它的聲表面波速度高,具有壓電性,可用作聲表面波器件。此外,氮化鋁還具有良好的耐磨損和耐腐蝕性能,可用作防護(hù)膜。氮化鋁膜很早用化學(xué)氣相沉積(CVI)制備,其沉積溫度高達(dá)1000攝氏度以上。后來(lái),通過(guò)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積,或用物相沉積((PVD)方法,其沉積溫度逐步降到500攝氏度以下、甚至可以在接近室溫條件下沉積。大多數(shù)氮化鋁膜為多晶,但已在藍(lán)寶石基材上成功地外延生長(zhǎng)制成單晶氮化鋁膜。此外,也曾沉積出非晶氮化鋁膜。
氮化鋁粉體的合成方法:直接氮化法:在高溫氮?dú)夥諊?,鋁粉直接與氮?dú)饣仙a(chǎn)氮化鋁粉末,反應(yīng)溫度一般在800℃~1200℃。反應(yīng)式為:2Al+N2→2AlN。該方法的缺點(diǎn)很明顯,在反應(yīng)初期,鋁粉顆粒表面會(huì)逐漸生成氮化物膜,使氮?dú)怆y以進(jìn)一步滲透,阻礙氮?dú)夥磻?yīng),致使產(chǎn)率較低;又由于鋁和氮?dú)庵g的反應(yīng)是強(qiáng)放熱反應(yīng),速度很快,造成AlN粉體自燒結(jié),形成團(tuán)聚,使得粉體顆粒粗化。碳熱還原法:將氧化鋁粉末和碳粉的混合粉末在高溫下(1400℃~1800℃)的流動(dòng)氮?dú)庵邪l(fā)生還原氮化反應(yīng)生成AlN粉末。其反應(yīng)式為:Al2O3+3C+N2→2AlN+3CO。該方法的主要難點(diǎn)在于,對(duì)氧化鋁和碳的原料要求比較高,原料難以混合均勻,氮化溫度較高,合成時(shí)間較長(zhǎng),而且還需對(duì)過(guò)量的碳進(jìn)行除碳處理,工藝復(fù)雜,制備成本較高。氧化鋁陶瓷基板的熱導(dǎo)率低,熱膨脹系數(shù)和硅不太匹配。
氮化鋁具有高熱導(dǎo)率、良好的電絕緣性、低介電常數(shù)、無(wú)毒等性能,應(yīng)用前景十分廣闊,特別是隨著大功率和超大規(guī)模集成電路的發(fā)展,集成電路和基片間散熱的重要性也越來(lái)越明顯。因此,基片必須要具有高的導(dǎo)熱率和電阻率。為滿足這一要求,國(guó)內(nèi)外研究學(xué)者開(kāi)發(fā)出了一系列高性能的陶瓷基片材料,其中主要包括:Al2O3、BeO、AlN、BN、Si3N4、SiC,其中氮化鋁是綜合性能很優(yōu)良的新型先進(jìn)陶瓷材料,被認(rèn)為是新一代高集成度半導(dǎo)體基片和電子器件的理想封裝材料。燒結(jié)過(guò)程是氮化鋁陶瓷制備的一個(gè)重要階段,直接影響陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)如晶粒尺寸與分布、氣孔率和晶界體積分?jǐn)?shù)等。因此燒結(jié)技術(shù)成為制備高質(zhì)量氮化鋁陶瓷的關(guān)鍵技術(shù)。氮化鋁陶瓷常用的燒結(jié)技術(shù)有無(wú)壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、放電等離子燒結(jié)、微波燒結(jié)等。氮化鋁膜在微電子和光電子器件、襯底材料、絕緣層材料、封裝材料上有著十分廣闊的應(yīng)用前景。上海微米氧化鋁銷(xiāo)售公司
在室溫下,氮化鋁的表面仍能探測(cè)到5-10納米厚的氧化物薄膜。導(dǎo)熱氮化鋁粉體銷(xiāo)售廠家
目前,AlN陶瓷燒結(jié)氣氛有3種:中性氣氛、還原型氣氛和弱還原型氣氛。中性氣氛采用常用的N2、還原性氣氛采用CO,弱還原性氣氛則使用H2。在還原氣氛中,AlN陶瓷的燒結(jié)時(shí)間及保溫時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng),且其燒結(jié)溫度不能過(guò)高,以免AlN被還原。而在中性氣氛中不會(huì)出現(xiàn)上述情況,因此一般選擇在氮?dú)庵袩Y(jié),以此獲得性能更高的AlN陶瓷。在氮化鋁陶瓷基板燒結(jié)過(guò)程中,除了工藝和氣氛影響著產(chǎn)品的性能外,燒結(jié)助劑的選擇也尤為重要。AlN燒結(jié)助劑一般是堿金屬氧化物和堿土金屬氧化物,燒結(jié)助劑主要有兩方面的作用:一方面形成低熔點(diǎn)物相,實(shí)現(xiàn)液相燒結(jié),降低燒結(jié)溫度,促進(jìn)坯體致密化;另一方面,高熱導(dǎo)率是AlN基板的重要性能,而實(shí)現(xiàn)AlN基板中由于存在氧雜質(zhì)等各種缺陷,熱導(dǎo)率低于及理論值,加入燒結(jié)助劑可以與氧反應(yīng),使晶格完整化,進(jìn)而提高熱導(dǎo)率。選擇多元復(fù)合燒結(jié)助劑,往往能獲得比單一燒結(jié)助劑更好的燒結(jié)效果找到合適的低溫?zé)Y(jié)助劑,實(shí)現(xiàn)AlN低溫?zé)Y(jié),就可以減少能耗、降低成本,便于進(jìn)行連續(xù)生產(chǎn)。 導(dǎo)熱氮化鋁粉體銷(xiāo)售廠家
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