東莞耐溫氧化鋁

氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中穩(wěn)定的相，它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構，在常壓下不能熔化，而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV，也可以通過摻雜成為寬帶隙半導體材料。氮化鋁的電阻率較高,熱膨脹系數(shù)低，硬度高，化學穩(wěn)定性好但與一般絕緣體不同，它的熱導率也很高。氮化鋁在整個可見光和紅外頻段都具有很高的光學透射率。關于氮化鋁的導熱機理，國內(nèi)外已做了大量的研究，并已形成了較為完善的理論體系。東莞耐溫氧化鋁

影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素：致密度：根據(jù)氮化鋁的熱傳導性能，低致密度的樣品存在的大量氣孔，會影響聲子的散射，降低其平均自由程，進而降低氮化鋁陶瓷的熱導率。同時，低致密度的樣品其機械性能也可能達不到相關應用要求。因此，高致密度是氮化鋁陶瓷具有高熱導率的前提。顯微結構：氮化鋁陶瓷的顯微組織結構與其熱力學性能有著一一對應，顯微結構包括晶粒尺寸、形貌和晶界第二相的含量及分布等。實際的氮化鋁陶瓷為多相組成的多晶體，它主要由氮化鋁晶相、鋁酸鹽第二相（晶界相）以及氣孔等缺陷組成。除了對氮化鋁的晶格缺陷進行研究外，許多人還對氮化鋁的晶粒、晶界形貌、晶界相的組成、性質、含量、分布、以及它們與熱導率的關系進行了較廣研究，一般認為鋁酸鹽第二相的分布對熱導率的影響很為重要。杭州片狀氮化鋁粉體銷售公司氮化鋁粉體的制備工藝主要有直接氮化法和碳熱還原法。

AlN陶瓷基片的燒結工藝：燒結助劑及其添加方式，燒結助劑主要有兩方面的作用：一方面形成低熔點物相，實現(xiàn)液相燒結，降低燒結溫度，促進坯體致密化；另一方面，高熱導率是AlN基板的重要性能，而實際AlN基板中由于存在氧雜質等各種缺陷，熱導率低于其理論值，加入燒結助劑可以與氧反應，使晶格完整化，進而提高熱導率。常用的燒結助劑主要是以堿土金屬和稀土元素的化合物為主，單元燒結助劑燒結能力往往很有限，通常要配合1800℃以上燒結溫度、較長燒結時間及較多含量的燒結助劑等條件。燒結過程中如果只采用一種燒結助劑，所需要的燒結溫度難以降低，生產(chǎn)成本較高。二元或多元燒結助劑各成分間相互促進，往往會得到更加明顯的燒結效果。目前，助燒劑引入的方式一般有2種，一種是直接添加，另一種是以可溶性硝酸鹽形式制成前驅體原位生成燒結助劑。后者所生成的燒結助劑組元分布更為均勻，顆粒更為細小，比表面能更大。

氮化鋁粉體的制備工藝：碳熱還原法：碳熱還原法就是將混合均勻的Al2O3和C在N2氣氛中加熱，首先Al2O3被還原，所得產(chǎn)物Al再與N2反應生成AlN，其化學反應式為：Al2O3(s)+3C(s)+N2(g)→2AlN(s)+3CO(g)；其優(yōu)點是原料豐富，工藝簡單；粉體純度高，粒徑小且分布均勻。其缺點是合成時間長，氮化溫度較高，反應后還需對過量的碳進行除碳處理，導致生產(chǎn)成本較高。高能球磨法：高能球磨法是指在氮氣或氨氣氣氛下，利用球磨機的轉動或振動，使硬質球對氧化鋁或鋁粉等原料進行強烈的撞擊、研磨和攪拌，從而直接氮化生成氮化鋁粉體的方法。其優(yōu)點是：高能球磨法具有設備簡單、工藝流程短、生產(chǎn)效率高等優(yōu)點。其缺點是：氮化難以完全，且在球磨過程中容易引入雜質，導致粉體的質量較低。氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術制備的氮化鋁覆蓋層 。

高導熱氮化鋁基片的燒結工藝重點包括燒結方式、燒結助劑的添加、燒結氣氛的控制等。放電等離子燒結是20世紀90年代發(fā)展并成熟的一種燒結技術，它利用脈沖大電流直接施加于模具和樣品上，產(chǎn)生體加熱使被燒結樣品快速升溫；同時，脈沖電流引起顆粒間的放電效應，可凈化顆粒表面，實現(xiàn)快速燒結，有效地抑制顆粒長大。使用SPS技術能夠在較低溫度下進行燒結，且升溫速度快，燒結時間短。微波燒結是利用特殊頻段的電磁波與介質的相互耦合產(chǎn)生介電損耗，使坯體整體加熱的燒結方法。微波同時提高了粉末顆?；钚?，加速物質的傳遞。微波燒結也是一種快速燒結法，同樣可保證樣品安全衛(wèi)生無污染。雖然機理與放電等離子體燒結有所不同，但是兩者都能實現(xiàn)整體加熱，才能極大地縮短燒結周期，所得陶瓷晶體細小均勻。粘結劑是氮化鋁陶瓷粉末的載體，決定了喂料注射成形的流變性能和注射性能。杭州片狀氮化鋁粉體銷售公司

利用AlN陶瓷耐熱耐侵蝕性，可用于制作坩堝、Al蒸發(fā)皿等高溫耐蝕部件。東莞耐溫氧化鋁

在現(xiàn)有可作為基板材料使用的陶瓷材料中，Si3N4陶瓷抗彎強度很高，耐磨性好，是綜合機械性能很好的陶瓷材料，同時其熱膨脹系數(shù)很小，因而被很多人認為是一種很有潛力的功率器件封裝基片材料。但是其制備工藝復雜，成本較高，熱導率偏低，主要適合應用于強度要求較高但散熱要求不高的領域。而氮化鋁各方面性能同樣也非常，尤其是在電子封裝對熱導率的要求方面，氮化鋁優(yōu)勢巨大。不足的是，較高成本的原料和工藝使得氮化鋁陶瓷價格很高，這是制約氮化鋁基板發(fā)展的主要問題。但是隨著氮化鋁制備技術的不斷發(fā)展，其成本必定會有所降低，氮化鋁陶瓷基板在大功率LED領域大面積應用指日可待。東莞耐溫氧化鋁

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