氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱、電、力學性能,所以它的應用范圍比較廣??梢灾瞥傻X陶瓷基片,熱導率高,膨脹系數(shù)低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電耗損小,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。氮化鋁陶瓷硬度高,超過氧化鋁陶瓷,也可用于磨損嚴重的部位。利用氮化鋁陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機耐蝕部件,利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩(wěn)定,但在堿性溶液中易被侵蝕。氮化鋁新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。利用此特性,可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。氮化鋁陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中較廣應用。氮化鋁有較高的傳熱能力,至使氮化鋁被大量應用于微電子學。嘉興單晶氮化硼供應商
氮化鋁,共價鍵化合物,化學式為AIN,是原子晶體,屬類金剛石氮化物、六方晶系,纖鋅礦型的晶體結構,無毒,呈白色或灰白色。AlN很高可穩(wěn)定到2200℃。室溫強度高,且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好,熱膨脹系數(shù)小,是良好的耐熱沖擊材料??谷廴诮饘偾治g的能力強,是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體,介電性能良好,用作電器元件也很有希望。砷化鎵表面的氮化鋁涂層,能保護它在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由鋁粉在氨或氮氣氛中800~1000℃合成,產物為白色到灰藍色粉末?;蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成,產物為灰白色粉末?;蚵然X與氨經氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過氣相沉積法合成。成都微米氮化鋁粉體在實際產品中,氮化鋁的晶體結構不能完全均均勻分布,并且存在許多雜質和缺陷。
氮化鋁陶瓷是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系?;瘜W組成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)(4.0-6.0)X10-6/℃。多晶AIN熱導率達260W/(m.k),比氧化鋁高5-8倍,所以耐熱沖擊好,能耐2200℃的極熱。此外,氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性,特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。性能指標:各種電性能(介電常數(shù)、介質損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良;機械性能好,抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結;光傳輸特性好;無毒。
氮化鋁陶瓷基板作為一種新型陶瓷基板,具有導熱效率高、力學性能好、耐腐蝕、電性能優(yōu)、可焊接等特點,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。作為DPC、DBC、AMB等陶瓷覆銅板的陶瓷基板之一,氮化鋁陶瓷基板用量十分巨大。因制備難度較大,目前國內氮化鋁陶瓷基板仍以進口為主。氮化鋁具有六方纖鋅礦晶體結構,具有密度低、強度高、耐熱性好、導熱系數(shù)高、耐腐蝕等優(yōu)點。由于鋁和氮的原子序數(shù)小,氮化鋁本身具有很高的熱導率,其理論熱導率可達319W/m·K。然而,在實際產品中,氮化鋁的晶體結構不能完全均均勻分布,并且存在許多雜質和缺陷,使得其熱導率低至170-230W/m·K。氮化鋁粉體的制備工藝還有自蔓延合成法、原位自反應合成法、等離子化學合成法及化學氣相沉淀法等。
影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素:影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。氧含量及雜質:對于氮化鋁陶瓷來說,由于它對氧的親和作用強烈,氧雜質易于在燒結過程中擴散進入AlN晶格,與多種缺陷直接相關,是影響氮化鋁熱導率的很主要根源。在聲子-缺陷的散射中,起主要作用的是雜質氧和氧化鋁的存在,由于氮化鋁易于水解和氧化,表面形成一層氧化鋁膜,氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現(xiàn)非諧性,影響聲子散射,從而使氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。氮化鋁硬度高,超過傳統(tǒng)氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料。嘉興微米氮化硼商家
氮化鋁要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級的物料。嘉興單晶氮化硼供應商
由于具有優(yōu)良的熱、電、力學性能。氮化鋁陶瓷引起了國內外研究者的較廣關注,隨著現(xiàn)代科學技術的飛速發(fā)展,對所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領域得到更為較廣的應用!雖然多年來通過許多研究者的不懈努力,在粉末的制備、成形、燒結等方面的研究均取得了長足進展。但就截止2013年4月而言,氮化鋁的商品化程度并不高,這也是影響氮化鋁陶瓷進一步發(fā)展的關鍵因素。為了促進氮化鋁研究和應用的進一步發(fā)展,必須做好下面兩個研究工作。研究低成本的粉末制備工藝和方法!制約氮化鋁商品化的主要因素就是價格問題。若能以較低的成本制備出氮化鋁粉末,將會提高其商品化程度!高溫自蔓延法和低溫碳熱還原合成工藝是很有發(fā)展前景的粉末合成方法。二者具有低成本和適合大規(guī)模生產的特點!研究復雜形狀的氮化鋁陶瓷零部件的凈近成形技術如注射成形技術等。它對充分發(fā)揮氮化鋁的性能優(yōu)勢.拓寬它的應用范圍具有重要意義!嘉興單晶氮化硼供應商
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