影響氮化鋁陶瓷熱導率的因素:影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。氧含量及雜質(zhì):對于氮化鋁陶瓷來說,由于它對氧的親和作用強烈,氧雜質(zhì)易于在燒結過程中擴散進入AlN晶格,與多種缺陷直接相關,是影響氮化鋁熱導率的很主要根源。在聲子-缺陷的散射中,起主要作用的是雜質(zhì)氧和氧化鋁的存在,由于氮化鋁易于水解和氧化,表面形成一層氧化鋁膜,氧化鋁溶入氮化鋁晶格中產(chǎn)生鋁空位。使得氮化鋁晶格出現(xiàn)非諧性,影響聲子散射,從而使氮化鋁陶瓷熱導率急劇降低。直接氮化法的優(yōu)點是工藝簡單,成本較低,適合工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)。東莞導熱氮化鋁粉體銷售公司
AIN氮化鋁陶瓷作為一種綜合性能優(yōu)良的新型陶瓷材料,因其氮化鋁陶瓷具有優(yōu)良的熱傳導性,可靠的電絕緣性,低的介電常數(shù)和介電損耗,無毒以及與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)等一系列優(yōu)良特性,被認為是新一代高集成度半導體基片和電子器件封裝的理想材料。氮化鋁陶瓷可做成氮化鋁陶瓷基板,被較廣應用到散熱需求較高的領域,比如大功率LED模組,半導體等領域。高性能氮化鋁粉體是制備高熱導率氮化鋁陶瓷基片的關鍵,目前國外氮化鋁粉制造工藝已經(jīng)相當成熟,商品化程度也很高。但掌握高性能氮化鋁粉生產(chǎn)技術的廠家并不多,主要分布在日本、德國和美國。氮化鋁粉末作為制備陶瓷成品的原料,其純度、粒度、氧含量以及其它雜質(zhì)的含量都對后續(xù)成品的熱導性能、后續(xù)燒結,成型工藝有重要影響,是很終成品性能優(yōu)異與否的基石。東莞導熱氮化鋁粉體銷售公司影響氮化鋁陶瓷熱導率的主要因素有晶格的氧含量、致密度、顯微結構、粉體純度等。
氮化鋁陶瓷的流延成型:料漿均勻流到或涂到支撐板上,或用刀片均勻的刷到支撐面上,形成漿膜,經(jīng)干燥形成一定厚度的均勻的素坯膜的一種料漿成型方法。流延成型工藝包括漿料制備、流延成型、干燥及基帶脫離等過程。溶劑和分散劑:高固相含量的流延漿料是流延成型制備高性能氮化鋁陶瓷的關鍵因素之一。溶劑和分散劑是高固相含量的流延漿料的關鍵。溶劑必須滿足以下條件:必須與其他添加成分相溶,如分散劑、粘結劑和增塑劑等;化學性質(zhì)穩(wěn)定,不與粉料發(fā)生化學反應;對粉料顆粒的潤濕性能好;易于揮發(fā)與燒除;使用安全、衛(wèi)生且對環(huán)境污染小。
在氮化鋁一系列重要的性質(zhì)中,很為明顯的是高的熱導率。關于氮化鋁的導熱機理,國內(nèi)外已做了大量的研究,并已形成了較為完善的理論體系。主要機理為:通過點陣或晶格振動,即借助晶格波或熱波進行熱的傳遞。量子力學的研究結果告訴我們,晶格波可以作為一種粒子——聲子的運動來處理。熱波同樣具有波粒二象性。載熱聲子通過結構基元(原子、離子或分子)間進行相互制約、相互協(xié)調(diào)的振動來實現(xiàn)熱的傳遞。如果晶體為具有完全理想結構的非彈性體,則熱可以自由的由晶體的熱端不受任何干擾和散射向冷端傳遞,熱導率可以達到很高的數(shù)值。其熱導率主要由晶體缺陷和聲子自身對聲子散射控制。凝膠流延成型和注凝成型,成為氮化鋁陶瓷的主要生產(chǎn)方法,從而促進氮化鋁陶瓷的推廣與應用。
氮化鋁陶瓷的制備技術:凝膠注模成型技術原理是首先將粉體、溶劑、分散劑混合球磨,制備具有高固相、粘度的粉體-溶劑濃懸浮液,加入合適的有機單體,添加引發(fā)劑或固化劑或者通過外界條件如溫度等的變化使陶瓷漿料中的單體交聯(lián)固化,很終在坯體中形成三維網(wǎng)狀結構將陶瓷顆粒固定,使?jié){料原位固化成型。與其他成型工藝技術相比,凝膠注模成型優(yōu)點如下:適用范圍較廣;成型坯體缺陷和變形小,是一種近凈尺寸成型工藝;坯體強度較高,成型坯體可進行機加工;坯體中有機物含量很低,排膠后成品變形小;陶瓷生坯和燒結體密度高、均勻性好;成本低、工藝可控。目前,凝膠注模成型的主要問題有:水機注凝成型需要對氮化鋁粉體做抗水解處理,非水基成型則需要進一步尋找和制備凝膠網(wǎng)絡交聯(lián)密度、強度適宜且易于制得高固含量低粘度漿料的注凝體系。在空氣中,溫度高于700℃時,氮化鋁的物質(zhì)表面會發(fā)生氧化作用。東莞導熱氮化鋁粉體銷售公司
AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系。東莞導熱氮化鋁粉體銷售公司
陶瓷線路板的耐熱循環(huán)性能是其可靠性關鍵參數(shù)之一。本文對陶瓷基板在反復周期性加熱過程中發(fā)生的變形情況進行了研究。通過實驗發(fā)現(xiàn),陶瓷覆銅板在周期性加熱過程中,存在類似金屬材料在周期載荷作用下出現(xiàn)的棘輪效應和包辛格效應。結合ANSYS有限元計算結果,可以推斷,陶瓷線路板的失效開裂與金屬層的塑性變形或位錯運動直接相關。另外,活性金屬釬焊陶瓷基板的結構穩(wěn)定性優(yōu)于直接覆銅陶瓷基板。隨著功率器件工作電壓、電流的增加和芯片尺寸不斷減小,芯片功率密度急劇增加,對芯片的散熱封裝的可靠性提出了更高挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)柔性基板或金屬基板已滿足不了第三代半導體模塊高功率、高散熱的要求,陶瓷基板具有良好的導熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù),是功率電子器件中關鍵基礎材料。陶瓷基板由金屬線路層和陶瓷層組成,由于陶瓷和金屬之間存在較大的熱膨脹差異,使用過程中產(chǎn)生的熱應力會造成基板開裂失效,因此,對陶瓷基板耐熱循環(huán)可靠性研究具有重要意義。東莞導熱氮化鋁粉體銷售公司