74HC244D

來源: 發(fā)布時間:2024-07-01

    所述第二熱接口材料層與所述集成電路熱耦聯(lián),和能夠移除的散熱器,所述散熱器與所述第二熱接口材料層熱耦聯(lián),所述散熱器具有越過印刷電路板的與所述連接側(cè)相對的側(cè)延伸的頂表面;其中,所述兩個印刷電路裝配件被相對地放置在一起,使得在所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的所述熱接口材料層接觸,并且與該熱接口材料層熱耦聯(lián)。在另一個方面中,本公開的實(shí)施方式提供一種用于冷卻集成電路的裝置,所述裝置包括:兩個印刷電路裝配件,每個所述印刷電路裝配件包括:系統(tǒng)板,所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座,多個液體冷卻管,每個所述液體冷卻管鄰接于所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座地耦聯(lián)至所述系統(tǒng)板,連接至所述印刷電路板插座的多個集成電路模塊,和多個散熱器,每個所述散熱器與所述集成電路模塊中的一個集成電路模塊熱耦聯(lián);其中,所述印刷電路裝配件彼此相對地布置,使得所述兩個印刷電路裝配件的集成電路模塊彼此交錯,并且所述印刷電路裝配件中的每個印刷電路裝配件的散熱器的頂表面與另一個印刷電路裝配件的液體冷卻管熱耦聯(lián)。在又一個方面中,本公開的實(shí)施方式提供一種用于冷卻集成電路的方法。ic芯片整合電路設(shè)計(jì)?74HC244D

74HC244D,IC芯片

    以確保合適的熱耦聯(lián)。圖a和圖b示出了根據(jù)一個實(shí)施例的、特征在于內(nèi)部鉸鏈的雙列直插式存儲模塊組件。圖b示出了分解圖,而圖a示出了裝配圖。雙列直插式存儲模塊組件包括印刷電路板,在印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地在處示出)。印刷電路板一般是雙側(cè)的,集成電路安裝在兩側(cè)上。熱接口材料的層熱耦聯(lián)至集成電路。一種常見的熱接口材料是熱間隙墊。然而,可以使用其他的熱接口材料。在所描繪的實(shí)施例中,由通過內(nèi)部鉸鏈連接的一對側(cè)板組成的、能夠移除的散熱器與熱接口材料的層物理接觸。并且因此熱耦聯(lián)至熱接口材料。側(cè)板可以由鋁制成。然而,可以使用其他材料來形成側(cè)板。能夠移除的一個或多個彈性夾可定位在側(cè)板周圍,以將側(cè)板壓靠在熱接口材料上,以確保合適的熱耦聯(lián)。圖示出了根據(jù)一個實(shí)施例的流程。盡管流程的步驟以特定順序示出,這些步驟的部分或全部可以以其他順序執(zhí)行、并行地執(zhí)行或兩者的組合。一些步驟可以被省略。參考圖,在處,提供兩個印刷電路裝配件。每個印刷電路裝配件包括:系統(tǒng)板;平行地安裝在系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座;和多個冷卻管,每個所述冷卻管安裝在系統(tǒng)板上、平行且鄰接于所述印刷電路板插座中對應(yīng)的一個印刷電路板插座。74HC244D對于動態(tài)接收裝置,如電視機(jī),在有無信號時,IC各引腳電壓是不同的。

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    生產(chǎn)的成本越低,但對工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實(shí)現(xiàn)曝光,激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的,曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的,晶圓通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個曝光顯影系統(tǒng)是封閉的,晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中,以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響[2]。圖1:現(xiàn)代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測步驟該過程使用了對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時可以用上份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解。

    VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應(yīng)用限制,后導(dǎo)致插針網(wǎng)格數(shù)組和芯片載體的出現(xiàn)。表面貼著封裝在20世紀(jì)80年代初期出現(xiàn),該年代后期開始流行。它使用更細(xì)的腳間距,引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-OutlineIntegratedCircuit(SOIC)為例,比相等的DIP面積少30-50%,厚度少70%。這種封裝在兩個長邊有海鷗翼型引腳突出,引腳間距為。Small-OutlineIntegratedCircuit(SOIC)和PLCC封裝。20世紀(jì)90年代,盡管PGA封裝依然經(jīng)常用于微處理器。PQFP和thinsmall-outlinepackage(TSOP)成為高引腳數(shù)設(shè)備的通常封裝。Intel和AMD的微處理從PineGridArray)封裝轉(zhuǎn)到了平面網(wǎng)格陣列封裝(LandGridArray,LGA)封裝。球柵數(shù)組封裝封裝從20世紀(jì)70年始出現(xiàn),90年發(fā)了比其他封裝有更多管腳數(shù)的覆晶球柵數(shù)組封裝封裝。在FCBGA封裝中,晶片(die)被上下翻轉(zhuǎn)(flipped)安裝,通過與PCB相似的基層而不是線與封裝上的焊球連接。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業(yè)的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī);在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年,資源豐富。芯片,又稱微電路、微芯片、IC芯片,是指內(nèi)含IC芯片的硅片,體積很小,是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。

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    制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個過程和在未來幾年所期望的進(jìn)步,在半導(dǎo)體**技術(shù)路線圖中有很好的描述。在其開發(fā)后半個世紀(jì),集成電路變得無處不在,計(jì)算機(jī)、手機(jī)和其他數(shù)字電器成為社會結(jié)構(gòu)不可缺少的一部分。這是因?yàn)?,現(xiàn)代計(jì)算、交流、制造和交通系統(tǒng),包括互聯(lián)網(wǎng),全都依賴于集成電路的存在。甚至很多學(xué)者認(rèn)為有集成電路帶來的數(shù)字是人類歷史中重要的事件。IC的成熟將會帶來科技的,不論是在設(shè)計(jì)的技術(shù)上,或是半導(dǎo)體的工藝突破,兩者都是息息相關(guān)。[1]分類播報(bào)編輯集成電路的分類方法很多,依照電路屬模擬或數(shù)字,可以分為:模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號集成電路(模擬和數(shù)字在一個芯片上)。數(shù)字集成電路可以包含任何東西,在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使得與板級集成相比,有更高速度,更低功耗(參見低功耗設(shè)計(jì))并降低了制造成本。這些數(shù)字IC,以微處理器、數(shù)字信號處理器和微控制器為,工作中使用二進(jìn)制,處理1和0信號。模擬集成電路有,例如傳感器、電源控制電路和運(yùn)放,處理模擬信號。完成放大、濾波、解調(diào)、混頻的功能等。通過使用所設(shè)計(jì)、具有良好特性的模擬集成電路。IC芯片是一種微型電子器件或部件。74HC244D

導(dǎo)電類型:IC芯片按導(dǎo)電類型可分為雙極型IC芯片和單極型IC芯片,他們都是數(shù)字IC芯片。74HC244D

    IC由很多重疊的層組成,每層由視頻技術(shù)定義,通常用不同的顏色表示。一些層標(biāo)明在哪里不同的摻雜劑擴(kuò)散進(jìn)基層(成為擴(kuò)散層),一些定義哪里額外的離子灌輸(灌輸層),一些定義導(dǎo)體(多晶硅或金屬層),一些定義傳導(dǎo)層之間的連接(過孔或接觸層)。所有的組件由這些層的特定組合構(gòu)成。在一個自排列(CMOS)過程中,所有門層(多晶硅或金屬)穿過擴(kuò)散層的地方形成晶體管。電阻結(jié)構(gòu),電阻結(jié)構(gòu)的長寬比,結(jié)合表面電阻系數(shù),決定電阻。電容結(jié)構(gòu),由于尺寸限制,在IC上只能產(chǎn)生很小的電容。更為少見的電感結(jié)構(gòu),可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。因?yàn)镃MOS設(shè)備只引導(dǎo)電流在邏輯門之間轉(zhuǎn)換,CMOS設(shè)備比雙極型組件(如雙極性晶體管)消耗的電流少很多。透過電路的設(shè)計(jì),將多顆的晶體管管畫在硅晶圓上,就可以畫出不同作用的集成電路。隨機(jī)存取存儲器是常見類型的集成電路,所以密度高的設(shè)備是存儲器,但即使是微處理器上也有存儲器。盡管結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜-幾十年來芯片寬度一直減少-但集成電路的層依然比寬度薄很多。組件層的制作非常像照相過程。雖然可見光譜中的光波不能用來曝光組件層。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年。74HC244D

標(biāo)簽: Microchip Avago IC芯片 ALLEGRO ADI
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