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    電流比率診斷方法，基于聚類技術(shù)的靜態(tài)電流檢測(cè)技術(shù)等。動(dòng)態(tài)電流診斷技術(shù)于90年代問世。動(dòng)態(tài)電流能夠直接反應(yīng)電路在進(jìn)行狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)，其內(nèi)部電壓的切換頻繁程度?；趧?dòng)態(tài)電流的檢測(cè)技術(shù)可以檢測(cè)出之前兩類方法所不能檢測(cè)出的故障，進(jìn)一步擴(kuò)大故障覆蓋范圍。隨著智能化技術(shù)的發(fā)展與逐漸成熟，集成電路芯片故障檢測(cè)技術(shù)也朝著智能化的趨勢(shì)前進(jìn)[2]。深圳市硅宇電子有限公司（SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD）成立于2000年，總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座，2002年成立北京分公司，是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī)；在該領(lǐng)域已經(jīng)營(yíng)多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同，公司工程技術(shù)力量強(qiáng)大，可為客戶設(shè)計(jì)指導(dǎo)方案開發(fā)。IC芯片是將大量的微電子元器件（晶體管、電阻、電容等）形成的IC芯片放在一塊塑基上，做成一塊芯片。TPS61165DBVR

    這是**次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)；成立電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了**IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國(guó)營(yíng)724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國(guó)條4英寸線。1989年，機(jī)電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團(tuán)公司。[5]1990-2000年重點(diǎn)建設(shè)期1990年，決定實(shí)施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)條6英寸線。1995年，決定繼續(xù)實(shí)施集成電路專項(xiàng)工程（“909”工程），集中建設(shè)我國(guó)條8英寸生產(chǎn)線。1996年，英特爾公司投資在上海建設(shè)封測(cè)廠。1997年，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司，主要承擔(dān)“909”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。1998年，華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定，開始了**大陸的Foundry時(shí)代。BCR533E6327家電領(lǐng)域：IC芯片在家電領(lǐng)域中也有應(yīng)用，如電視、空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、微波爐等。

    是專業(yè)的IC供貨商（只做原裝），其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī)；在該領(lǐng)域已經(jīng)營(yíng)多年，資源豐富，目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)模化的電子元器件經(jīng)銷商，且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同，公司工程技術(shù)力量強(qiáng)大，可為客戶設(shè)計(jì)指導(dǎo)方案開發(fā)。這是**次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)；成立電子計(jì)算機(jī)和大規(guī)模集成電路領(lǐng)導(dǎo)小組，制定了**IC發(fā)展規(guī)劃，提出“六五”期間要對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)行技術(shù)改造。1985年，塊64KDRAM在無錫國(guó)營(yíng)724廠試制成功。1988年，上無十四廠建成了我國(guó)條4英寸線。1989年，機(jī)電部在無錫召開“八五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出振興集成電路的發(fā)展戰(zhàn)略；724廠和永川半導(dǎo)體研究所無錫分所合并成立了**華晶電子集團(tuán)公司。[5]1990-2000年重點(diǎn)建設(shè)期1990年，決定實(shí)施“908”工程。1991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司——首鋼NEC電子有限公司。1992年，上海飛利浦公司建成了我國(guó)條5英寸線。1993年，塊256KDRAM在**華晶電子集團(tuán)公司試制成功。1994年，首鋼日電公司建成了我國(guó)條6英寸線。1995年，決定繼續(xù)實(shí)施集成電路專項(xiàng)工程（“909”工程），集中建設(shè)我國(guó)條8英寸生產(chǎn)線。1996年，英特爾公司投資在上海建設(shè)封測(cè)廠。1997年。

    如-5，-6之類數(shù)字表示。工藝結(jié)構(gòu)----如通用數(shù)字IC有COMS和TL兩種，常用字母C，T來表示。是否**-----一般在型號(hào)的末尾會(huì)有一個(gè)字母來表示是否**，如z，R，+等。包裝-----顯示該物料是以何種包裝運(yùn)輸?shù)?，如tube，T/R，r**l，tray等。版本號(hào)----顯示該產(chǎn)品修改的次數(shù)，一般以M為版本。IC命名、封裝常識(shí)與命名規(guī)則溫度范圍：C=0℃至60℃（商業(yè)級(jí)）；I=-20℃至85℃（工業(yè)級(jí)）；E=-40℃至85℃（擴(kuò)展工業(yè)級(jí)）；A=-40℃至82℃（航空級(jí)）；M=-55℃至125℃（級(jí)）封裝類型：A—SSOP；BCERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷銅頂；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—寬體小外型(300mil)﹔X—SC-60(**，5P，6P)﹔Y―窄體銅頂；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增強(qiáng)型塑封﹔/W-晶圓。管腳數(shù):A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圓形)﹔W—10(圓形)﹔X—36；Y—8(圓形)﹔Z—10。。芯片，又稱微電路、微芯片、IC芯片，是指內(nèi)含IC芯片的硅片，體積很小，是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。

    本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術(shù)：現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)產(chǎn)生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產(chǎn)生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲(chǔ)芯片的集成電路產(chǎn)生的。為了合適地運(yùn)行，這些計(jì)算機(jī)系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內(nèi)。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲(chǔ)芯片產(chǎn)生的熱量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在一個(gè)方面中，本公開的實(shí)施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個(gè)印刷電路裝配件，每個(gè)所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個(gè)印刷電路板插座，和多個(gè)冷卻管，每個(gè)所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個(gè)冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對(duì)的一側(cè)上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個(gè)集成電路模塊，每個(gè)所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座中的連接側(cè)；安裝在所述印刷電路板上的一個(gè)或多個(gè)集成電路，第二熱接口材料層。硅宇電子的IC芯片為客戶提供高效可靠的解決方案，幫助他們實(shí)現(xiàn)更高效的生產(chǎn)力。TPS61165DBVR

IC芯片對(duì)于離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢(shì)：成本和性能。TPS61165DBVR

    生產(chǎn)的成本越低，但對(duì)工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力，其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓（或襯底）表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上，實(shí)現(xiàn)曝光，激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤使得光化學(xué)反應(yīng)更充分。后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對(duì)曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的，曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的，晶圓通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對(duì)光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響[2]。圖1：現(xiàn)代光刻工藝的基本流程和光刻后的檢測(cè)步驟該過程使用了對(duì)紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì)，即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑，使得其遇紫外光就會(huì)溶解。這時(shí)可以用上份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解。TPS61165DBVR