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可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件??煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié)。湖北西門康SEMIKRON可控硅貨源充足
在門極G上加以正電壓或正脈沖信號(hào),則GT0導(dǎo)通;當(dāng)門極上信號(hào)消失后,GTO仍然保持導(dǎo)通狀態(tài),這與普通SCR性能完全一樣。這時(shí)如在門極與陰極之間加入反向電壓或較強(qiáng)的反向脈沖信號(hào),可使GTO關(guān)斷。GTO在門極加負(fù)脈沖關(guān)斷信號(hào)時(shí),有一個(gè)反向偏置工作安全區(qū)問(wèn)題。就是指一定條件下GT0能可靠關(guān)斷的陽(yáng)極電流和陽(yáng)極電壓的軌跡。以上圖可控硅模塊來(lái)說(shuō),怎么判斷可控硅模塊如下1、這種模塊已經(jīng)標(biāo)注有詳細(xì)的圖,在門極上部也清楚標(biāo)注有希拉數(shù)字4、5、6、7。也就是說(shuō)可控硅模塊無(wú)需極性判別。簡(jiǎn)單的判別,可用數(shù)字萬(wàn)用表的電阻擋位200Ω,測(cè)量一下k1=4、G1=5、k2=7、G2=6,是否一一對(duì)應(yīng)。如不對(duì)應(yīng)表示模塊內(nèi)部已經(jīng)出現(xiàn)損壞了。正常時(shí)k1與G1正反向電阻值都為一樣14Ω。K2與G2的兩個(gè)端點(diǎn)的電阻也應(yīng)該是14Ω。如果測(cè)得陰極k與門極G電阻值等于o時(shí),說(shuō)明元件內(nèi)部己經(jīng)短路擊穿損壞。上面三個(gè)電流緊固電極(1~AK2)、(2~K1)、(3~A)。2、將萬(wàn)用表200MΩ擋位測(cè)量,它們之間的電阻值,均為∞無(wú)窮大均為好。如果它們?nèi)c(diǎn)之中其中有二點(diǎn)有電阻值,表明模塊已壞。3、可將用于整流作用的模塊可控硅單獨(dú)分為一只可控硅看,為安全起見,采用24V直流穩(wěn)壓電源,與一直流24V5W燈泡如下圖進(jìn)行簡(jiǎn)單的判別。 四川哪里有西門康SEMIKRON可控硅銷售它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)。
可控硅模塊作為電路中非常重要的一個(gè)基礎(chǔ)元件,它也有好壞之分,其好壞的合適與否都直接關(guān)系到運(yùn)行質(zhì)量的好壞,所以,在選購(gòu)可控硅模塊前學(xué)會(huì)如何判斷可控硅的好壞是非常重要的,選擇好的可控硅模塊,可以保證運(yùn)行的質(zhì)量和性能。其實(shí),判斷可控硅模塊是否完好也并不難,需要從四個(gè)方面來(lái)進(jìn)行檢查和判斷:首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)是否完好;其次就是在陰極與陽(yáng)極之間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通;緊接著就是當(dāng)控制極開路時(shí),陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通;第四就是給控制極加上正向電流,給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。
故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時(shí),式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導(dǎo)通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,門極已失去作用。在晶閘管導(dǎo)通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),由于a1和a1迅速下降,當(dāng)1-(a1+a2)≈0時(shí),晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài)。可控硅原理主要用途編輯可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成可控硅,就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。 按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,則表明可控硅良好,且觸發(fā)電壓(或電流)小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,指針立即退回∞位置,則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞??砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量,對(duì)于單向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K燈仍不息滅,否則說(shuō)明可控硅損壞。對(duì)于雙向可控硅,閉合開關(guān)K,燈應(yīng)發(fā)亮,斷開K,燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,重復(fù)上述步驟,均應(yīng)是同一結(jié)果,才說(shuō)明是好的。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間:2016年2月6日18:40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字:可控硅檢測(cè)方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上(它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),而且方向相反,因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通)??刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,可以有比較大的電流通過(guò),因此,有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,并不能說(shuō)明控制極特性不好。 它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。江蘇哪里有西門康SEMIKRON可控硅哪里有賣的
雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。湖北西門康SEMIKRON可控硅貨源充足
1可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極,陽(yáng)極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。21、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、等各類電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。32、可控硅模塊的控制方式:通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V>1A。5。 湖北西門康SEMIKRON可控硅貨源充足
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