云南模塊零售價

來源: 發(fā)布時間:2022-11-02

三、1600V、1700V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊,部分型號如下:一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊:BSM200GA170DN2  BSM300GA170DN2 FZ800R16KF4  FZ1200R16KF4  FZ1800R16KF4  BSM200GA170DLC  BSM300GA170DLC  BSM400GA170DLC  FZ400R17KE3  FZ600R17KE3  二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊: BSM50GB170DN2  BSM75GB170DN2   BSM150GB170DN2   FF400R16KF4   BSM100GB170DLC  BSM150GB170DLC  BSM200GB170DLC    四、3300V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊,部分型號如下:一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊:FZ800R33KF2C  FZ1200R33KF2C    FZ800R33KL2C  FZ1200R33KL2C二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊:FF200R33KF2C   FF400R33KF2C五、6500V系列EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊,部分型號如下:一單元EUPEC IGBT模/塊infineon IGBT模塊:FZ200R65KF1  FZ400R65KF1  FZ600R65KF1EUPEC IGBT模塊/ infineon IGBT模塊/英飛凌IGBT模塊/優(yōu)派克IGBT模塊若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。云南模塊零售價

一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種(見圖表-25)。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構,共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26?!鰪膱D表-26中可以看到,可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?!隹煽毓铻槭裁雌溆小耙孕】卮蟆钡目煽匦阅兀肯旅嫖覀冇脠D表-27來簡單分析可控硅的工作原理。加工模塊技術指導IGBT模塊輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。

可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現(xiàn)將直流電變成交流電的轉變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽w器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。它的出現(xiàn),使半導體技術從弱電范疇進入了強電范疇,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭相采用的元件。

本實用新型的實施例提供的igbt模塊,包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時,只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開所述壓緊件即可實現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法,節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風險。IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用。

技術實現(xiàn)要素:有鑒于此,本實用新型實施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。本實用新型實施例提供一種igbt模塊,包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管,所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件,所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上??蛇x的,所述壓緊件包括連接部和具有彈性的壓緊部,所述連接部一端與所述壓緊部相連,另一端與所述安裝板相連,所述壓緊部抵設在所述igbt單管的上側,將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。雙向晶閘可視為一對反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,常用于交流調壓和調功電路中。云南模塊零售價

光控晶閘具有良好的高壓絕緣性能和較高的瞬時過電壓承受能力。云南模塊零售價

在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內(nèi)溝道消失,IGBT呈關斷狀態(tài)。2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。3)當集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:②若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。②若柵-射極電壓UGE>Uth,柵極溝道形成,IGBT呈導通狀態(tài)(正常工作)。此時,空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調制,減少N基區(qū)電阻RN的值,使IGBT通態(tài)壓降降低。云南模塊零售價

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