正常選擇的型號Vref=），開始一直覺得問題出在TLV431上，后來換了板子竟發(fā)現(xiàn)可以正常穩(wěn)壓（應(yīng)該是上一個板子變壓器和MOS管出現(xiàn)問題，但沒回去驗(yàn)證），但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會冒煙，后來經(jīng)過與芯片方案的FAE溝通才發(fā)現(xiàn)，MSP3910的驅(qū)動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯物料，mos管工作原理圖是，但實(shí)際用的是，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會很燙。下面是解決問題思路：一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形，如圖一所示，上升時間接近，下降時間接近<160ns（實(shí)測50ns），再看如圖二所示的手冊中對MOS驅(qū)動上升下降沿要求，上升時間要求<35ns，下降時間<80ns，可得結(jié)論：上升時間過長導(dǎo)致MOS管工作為線性狀態(tài)，非開關(guān)狀態(tài)（參看總結(jié)一），MOS管開通過程時間太長直接導(dǎo)致了MOS管的發(fā)熱嚴(yán)重。二、解決：更換驅(qū)動限流電阻（圖二中Rg），由于當(dāng)時手里當(dāng)時沒有，更換為22歐的電阻后，G極波形如圖三所示，Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱?？偨Y(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)1、電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。mos管的工作原理是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（簡稱mos管）。遼寧哪里有MOS管代理商
或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。目前在市場應(yīng)用方面，排名第1的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應(yīng)用領(lǐng)域排名第二的是計算機(jī)主板、NB、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著國情的發(fā)展計算機(jī)主板、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過消費(fèi)類電子電源適配器的現(xiàn)象了。第三的就屬網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、汽車電子以及電力設(shè)備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現(xiàn)在汽車電子對于MOS管的需求直追消費(fèi)類電子了。下面對MOS失效的原因總結(jié)以下六點(diǎn)，然后對1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。廣東常見MOS管代理商MOS管的Source和Drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。
此時N型半導(dǎo)體的源極和漏極的負(fù)電子被吸引出來而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中（見圖b），從而形成電流，使源極和漏極之間導(dǎo)通。我們也可以想像為兩個N型半導(dǎo)體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當(dāng)于為它們之間搭了一座橋梁，該橋的大小由柵壓的大小決定。圖給出了P溝道的MOS管。MOS管工作原理圖工作過程，其工作原理類似這里不再重復(fù)。下面簡述一下用C-MOS場效應(yīng)管（增強(qiáng)型MOS管）組成的應(yīng)用電路的工作過程（見圖）。電路將一個增強(qiáng)型P溝道MOS管和一個增強(qiáng)型N溝道MOS場效應(yīng)管組合在一起使用。當(dāng)輸入端為低電平時，P溝道MOS管導(dǎo)通，輸出端與電源正極接通。當(dāng)輸入端為高電平時，N溝道MOS場效應(yīng)管導(dǎo)通，輸出端與電源地接通。在該電路中，P溝道MOS場效應(yīng)管和N溝道MOS場效應(yīng)管總是在相反的狀態(tài)下工作，其相位輸入端和輸出端相反。通過這種工作方式我們可以獲得較大的電流輸出。同時由于漏電流的影響，使得柵壓在還沒有到0V，通常在柵極電壓小于1到2V時，MOS場效應(yīng)管既被關(guān)斷。不同場效應(yīng)管其關(guān)斷電壓略有不同。也正因?yàn)槿绱?，使得該電路不會因?yàn)閮晒芡瑫r導(dǎo)通而造成電源短路。
首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是extrinsicsilicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gatedielectric(柵介質(zhì))。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對器件整體的特性影響也非常小。當(dāng)MOS電容的GATE相對于BACKGATE正偏置時發(fā)生的情況。穿過GATEDIELECTRIC的電場加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累。mos管也稱場效應(yīng)管，首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。
柵極電壓還沒有到達(dá)VGS（th），導(dǎo)電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關(guān)閉狀態(tài)。2.[t1-t2]區(qū)間,GS間電壓到達(dá)Vgs（th），DS間導(dǎo)電溝道開始形成，MOSFET開啟，DS電流增加到ID,Cgs2迅速充電，Vgs由Vgs（th）指數(shù)增長到Va。3.[t2-t3]區(qū)間,MOSFET的DS電壓降至與Vgs相同,產(chǎn)生Millier效應(yīng)，Cgd電容增加,柵極電流持續(xù)流過，由于Cgd電容急劇增大，抑制了柵極電壓對Cgs的充電,從而使得Vgs近乎水平狀態(tài)，Cgd電容上電壓增加,而DS電容上的電壓繼續(xù)減小。4.[t3-t4]區(qū)間,至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導(dǎo)通時的電壓,Millier效應(yīng)影響變小，Cgd電容變小并和Cgs電容一起由外部驅(qū)動電壓充電,Cgs電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時Cgs電容電壓已達(dá)穩(wěn)態(tài),DS間電壓也達(dá)小，MOSFET完全開啟。OS管是指場效應(yīng)管。它采用絕緣柵結(jié)構(gòu)的晶體三極管，輸入阻抗高，輸出呈電阻態(tài)。江西定制MOS管代理商
mos管是個開關(guān)，柵極（G）是控制端，它控制著源極（S）和漏極（D）之間是否能導(dǎo)通，即是否可以通過電流。遼寧哪里有MOS管代理商
這個電路提供了如下的特性：1，用低端電壓和PWM驅(qū)動MOS管。2，用小幅度的PWM信號驅(qū)動高gate電壓需求的MOS管。3，gate電壓的峰值限制4，輸入和輸出的電流限制5，通過使用合適的電阻，可以達(dá)到很低的功耗。6，PWM信號反相。NMOS并不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。在設(shè)計便攜式設(shè)備和無線產(chǎn)品時，提高產(chǎn)品性能、延長電池工作時間是設(shè)計人員需要面對的兩個問題。DC-DC轉(zhuǎn)換器具有效率高、輸出電流大、靜態(tài)電流小等優(yōu)點(diǎn)，非常適用于為便攜式設(shè)備供電。DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計技術(shù)發(fā)展主要趨勢：(1)高頻化技術(shù)：隨著開關(guān)頻率的提高，開關(guān)變換器的體積也隨之減小，功率密度也得到大幅提升，動態(tài)響應(yīng)得到改善。小功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率將上升到兆赫級。(2)低輸出電壓技術(shù)：隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷發(fā)展，微處理器和便攜式電子設(shè)備的工作電壓越來越低，這就要求未來的DC-DC變換器能夠提供低輸出電壓以適應(yīng)微處理器和便攜式電子設(shè)備的要求。這些技術(shù)的發(fā)展對電源芯片電路的設(shè)計提出了更高的要求。首先，隨著開關(guān)頻率的不斷提高，對于開關(guān)元件的性能提出了很高的要求，同時必須具有相應(yīng)的開關(guān)元件驅(qū)動電路以保證開關(guān)元件在高達(dá)兆赫級的開關(guān)頻率下正常工作。其次。遼寧哪里有MOS管代理商
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